CEB75N10 时间：2025/7/1 7:07:00 阅读：21

CEB75N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合中等功率的应用场景。

参数

型号：CEB75N10
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-220
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ（在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：160W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃

特性

CEB75N10具有以下主要特性：
　　1. 高击穿电压，能够承受高达100V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻，在Vgs=10V时仅为4mΩ，有助于降低传导损耗，提高效率。
　　3. 快速开关性能，可实现高效的开关操作。
　　4. 较高的漏极电流能力（75A），使其适合大电流应用。
　　5. TO-220封装形式，便于散热设计和电路安装。
　　6. 宽广的工作温度范围，从-55℃到+150℃，确保其在极端环境下的可靠性。
　　这些特性使得CEB75N10成为许多电力电子设备中的理想选择。

应用

CEB75N10适用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动中的功率级开关。
　　4. 负载开关和保护电路。
　　5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，CEB75N10非常适合需要高效功率转换和低热损耗的应用场景。