CEB75N10是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适合中等功率的应用场景。
型号:CEB75N10
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-220
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):75A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):160W
工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃
CEB75N10具有以下主要特性:
1. 高击穿电压,能够承受高达100V的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,在Vgs=10V时仅为4mΩ,有助于降低传导损耗,提高效率。
3. 快速开关性能,可实现高效的开关操作。
4. 较高的漏极电流能力(75A),使其适合大电流应用。
5. TO-220封装形式,便于散热设计和电路安装。
6. 宽广的工作温度范围,从-55℃到+150℃,确保其在极端环境下的可靠性。
这些特性使得CEB75N10成为许多电力电子设备中的理想选择。
CEB75N10适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
由于其高电流承载能力和低导通电阻,CEB75N10非常适合需要高效功率转换和低热损耗的应用场景。
IRFZ44N
STP75NF06L
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IXFN75N10T2