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CEB75N10 发布时间 时间:2025/7/1 7:07:00 查看 阅读:7

CEB75N10是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适合中等功率的应用场景。

参数

型号:CEB75N10
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-220
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):75A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):160W
  工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃

特性

CEB75N10具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压,能够承受高达100V的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,在Vgs=10V时仅为4mΩ,有助于降低传导损耗,提高效率。
  3. 快速开关性能,可实现高效的开关操作。
  4. 较高的漏极电流能力(75A),使其适合大电流应用。
  5. TO-220封装形式,便于散热设计和电路安装。
  6. 宽广的工作温度范围,从-55℃到+150℃,确保其在极端环境下的可靠性。
  这些特性使得CEB75N10成为许多电力电子设备中的理想选择。

应用

CEB75N10适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动中的功率级开关。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
  由于其高电流承载能力和低导通电阻,CEB75N10非常适合需要高效功率转换和低热损耗的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP75NF06L
  FDP150N10AS
  IXFN75N10T2

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