FDN147B 时间：2025/8/24 18:21:06 阅读：5

FDN147B是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。FDN147B采用SOT-223封装形式，适用于各种电源转换器、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（最大值，Vgs = 10V）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

FDN147B具有多个关键特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。此外，FDN147B的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。该MOSFET还具有良好的热稳定性和耐久性，适合在高温环境下工作。其SOT-223封装形式不仅节省空间，而且便于散热，适用于高密度PCB设计。此外，FDN147B的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平驱动电路，提高了其在各种应用中的灵活性。
　　在可靠性方面，FDN147B通过了严格的工业标准测试，确保在恶劣环境下的稳定运行。其静电放电（ESD）保护能力较强，能够承受一定程度的过电压和过电流冲击，从而延长器件的使用寿命。此外，该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流而不损坏。这些特性使得FDN147B成为一款适用于多种电源管理应用的高性能功率器件。

应用

FDN147B广泛应用于多个领域，包括电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电器以及LED照明驱动电路等。在计算机和服务器电源系统中，FDN147B可用于高效能电源转换，提升系统整体能效。在工业控制系统中，它适用于各种高频率开关电源和功率调节模块。此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统中的电池管理系统和车载充电器，确保在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。