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FMD4-TRM 发布时间 时间:2025/9/20 3:01:53 查看 阅读:21

FMD4-TRM是一款由Fairchild Semiconductor(现属于onsemi)生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及极性保护等电路中。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、功耗低、响应速度快等特点,适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。FMD4-TRM内部集成了两个独立的肖特基二极管,连接方式为共阴极配置,这种结构特别适用于双通道整流或输入反接保护电路。由于其低正向导通电压和快速恢复特性,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,适用于消费类电子、便携式设备、通信模块及工业控制等领域。

参数

类型:双肖特基二极管阵列
  配置:共阴极
  封装形式:SOT-23
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大平均正向整流电流(IO):300mA(每二极管)
  峰值脉冲正向电流(IFSM):500mA
  最大正向电压降(VF):500mV @ 300mA(典型值)
  最大反向漏电流(IR):100μA @ 40V
  反向恢复时间(trr):< 4ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  热阻抗(JA):约350°C/W(在FR-4 PCB上)

特性

FMD4-TRM的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,该技术通过金属-半导体结替代传统的PN结,显著降低了正向导通电压,从而减少了导通状态下的能量损耗。在典型工作条件下,其正向压降仅为500mV左右,远低于普通硅二极管的0.7V,这使得它在低电压、大电流的应用场景中表现出更高的能效。此外,由于肖特基二极管本质上是非少数载流子器件,不存在少子存储效应,因此具有极快的开关速度和极短的反向恢复时间(trr < 4ns),非常适合用于高频整流和高速开关电路,如开关模式电源(SMPS)、同步整流辅助电路以及信号解调等场合。
  FMD4-TRM采用SOT-23小型化表面贴装封装,仅占很小的PCB面积,便于实现紧凑型设计,特别适用于空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线模块等。该封装还具备良好的散热性能和机械稳定性,能够在恶劣环境下保持可靠运行。器件的共阴极结构使其可以方便地用于双路电源整流或作为两个独立的保护二极管使用,例如在双电源输入选择电路中防止反向电流流动。同时,其最大反向耐压为40V,适用于常见的5V、12V和24V直流系统,覆盖了大多数中低压应用场景。
  该器件具有出色的温度稳定性,在-55°C至+125°C的宽结温范围内仍能保持稳定的电气性能,确保在极端环境下的长期可靠性。此外,FMD4-TRM符合无铅(Pb-free)和RoHS指令要求,支持绿色环保制造流程。其高可靠性和一致性也使其适用于自动化贴片生产线,提高了生产效率和产品良率。总体而言,FMD4-TRM是一款高性能、低成本、高集成度的双肖特基二极管解决方案,适用于多种中低功率电子系统中的整流、箝位和保护功能。

应用

FMD4-TRM广泛应用于各类中低功率电子设备中,主要用于电源管理与信号处理电路。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流,尤其是在反激式或降压型转换器中作为次级侧整流元件,利用其低正向压降提升转换效率。在DC-DC转换模块中,常被用作续流二极管或防倒灌二极管,防止电流回流损坏上游电源。此外,由于其快速响应特性,也适用于高频信号检波、箝位电路和ESD保护路径中。
  在便携式电子产品中,FMD4-TRM常用于电池供电系统的极性反接保护,确保即使用户错误连接电池也不会损坏主板电路。其双二极管共阴极结构也可用于双电源自动切换电路,例如主备电源之间无缝切换,保证系统持续供电。在通信接口如USB、RS-232或CAN总线中,可用于瞬态电压抑制和信号隔离,增强系统的抗干扰能力。
  工业控制领域中,FMD4-TRM可用于PLC模块、传感器供电单元和继电器驱动电路中的续流保护,抑制电感负载断开时产生的反向电动势。此外,在LED照明驱动、智能电表、无线传感器网络节点等对空间和功耗敏感的设计中,该器件凭借其小型封装和高效性能成为理想选择。总之,FMD4-TRM适用于所有需要高效、小型化、快速响应二极管功能的中低压电子系统。

替代型号

MBR0330T1G
  RB0340L-40TR
  BAS40-04W
  SS14

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