FMC16N60E是一款由Fairchild(飞兆半导体,现为安森美半导体的一部分)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率和高频开关应用,具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关等场景。FMC16N60E的封装形式通常为TO-220或类似的功率封装,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):600V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):16A
导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
FMC16N60E具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,适用于高频率开关应用。器件的最大漏源电压为600V,能够承受较高的电压应力,适用于高压功率转换场合。
此外,FMC16N60E具备良好的热稳定性和较高的热阻能力,能够在高温环境下稳定工作,延长器件的使用寿命。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持标准的10V驱动电压,也兼容低电压控制电路,便于与各种驱动IC或微控制器配合使用。
该器件还具有快速开关特性,减少了开关过程中的能量损耗,提高了整体系统的响应速度。此外,其封装形式(如TO-220)具有良好的散热性能,有助于在高功率工作条件下维持较低的结温,确保器件长期可靠运行。
在保护特性方面,FMC16N60E具备一定的抗雪崩击穿能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定,增强了系统的鲁棒性和安全性。这些特性使得该MOSFET非常适合用于开关电源、逆变器、电机驱动和负载管理等应用场景。
FMC16N60E广泛应用于各种高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、功率因数校正(PFC)电路、电机控制驱动器、逆变器以及各种负载开关电路。在工业自动化、家电控制、照明系统以及新能源设备中,该器件都可发挥重要作用。由于其高耐压能力和低导通电阻,特别适合需要高效能和高可靠性的设计场合。
FQA16N60C、FGL16N60AND、FGA16N60ANTD、IRFCE16N60HD