时间：2025/9/6 16:18:37
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HM628512BLRR5SL是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为512Kbit，采用并行接口和高性能CMOS工艺制造。该芯片广泛用于需要高速数据存取和低延迟的工业设备、通信设备以及嵌入式系统中。
容量：512Kbit
组织结构：64K x 8
电源电压：3.3V
访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54
最大工作频率：约18MHz
待机电流：最大10mA
工作电流：最大160mA
HM628512BLRR5SL SRAM芯片具有高速访问时间和低功耗的特性，适合用于缓存、数据缓冲和实时数据处理等应用场景。其3.3V电源设计使其与现代低功耗系统兼容，同时具备较高的稳定性与可靠性。该芯片支持高速异步操作，适用于需要快速响应和高数据吞吐量的系统。此外，其CMOS工艺不仅降低了功耗，还提高了抗干扰能力，增强了芯片在复杂电磁环境中的稳定运行。
该芯片的封装为54引脚TSOP，有助于在紧凑的PCB布局中节省空间，适用于便携式设备和高密度电子系统。其宽广的工作温度范围也使其能够在工业和车载环境中稳定运行。
HM628512BLRR5SL SRAM芯片常用于工业控制设备、网络路由器和交换机、嵌入式系统、数据采集设备、测试测量仪器以及汽车电子系统中。由于其高速访问能力和低功耗特性，特别适用于需要频繁读写操作和高稳定性的应用场合。
IS62LV5128ALL55SLI、CY7C1041CV33-55BZC、IDT71V413S55BHI、AS6C6256-55SPN、MCM62V5128C55D
