型号：FMC13N60ES
　　制造商：Fairchild Semiconductor
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：13A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：52A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：0.75Ω（@ VGS = 10V, ID = 7.5A）
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@ VDS = 25V）
　　输出电容（Coss）：280pF（@ VDS = 25V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS = 25V）
　　栅极电荷（Qg）：60nC（@ VGS = 10V）
　　上升时间（tr）：50ns
　　下降时间（tf）：35ns
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装类型：TO-220F
　　安装方式：通孔安装

FMC13N60ES采用了Fairchild专有的平面场效应技术，使其在高电压环境下仍能保持优异的开关性能和可靠性。该MOSFET的关键特性之一是其较低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为0.75Ω，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。同时，该器件具备较高的电流承载能力，在TC=25°C条件下可承受13A的连续漏极电流，适用于中等功率级别的开关电源设计。
　　另一个重要特性是其出色的动态性能。FMC13N60ES具有较低的输入、输出和反向传输电容，分别为1100pF、280pF和50pF，这些参数有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，并降低电磁干扰（EMI）。其栅极电荷Qg为60nC，在同类600V MOSFET中处于较低水平，这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并提升系统效率。
　　该器件还具备良好的热稳定性与安全工作区（SOA），能够在高温环境下长时间稳定运行，最大结温可达150°C。TO-220F封装不仅提供了良好的散热路径，还具备电气隔离功能，适用于对绝缘要求较高的应用场景。此外，FMC13N60ES内置的快速恢复体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=55ns），可在桥式电路或感性负载切换过程中有效抑制电压尖峰，提升系统可靠性。
　　值得一提的是，FMC13N60ES符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其坚固的结构设计和严格的生产质量控制确保了器件在恶劣工作条件下的长期稳定性，是工业电源、照明镇流器、光伏逆变器等应用中的理想选择。

FMC13N60ES广泛应用于多种中高功率开关电源拓扑中，包括反激式（Flyback）、正激式（Forward）、半桥（Half-Bridge）和全桥（Full-Bridge）变换器，特别适用于AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及小型逆变器等设备。由于其600V的高耐压能力和良好的开关特性，该器件常被用于通用输入电压范围（85~265V AC）的离线式电源设计中，能够有效应对电网波动带来的高压冲击。
　　在工业控制领域，FMC13N60ES可用于电机驱动电路中的功率开关元件，尤其是在单相感应电机或步进电机的控制模块中，其快速开关能力和低导通损耗有助于实现高效节能的驱动方案。此外，在UPS不间断电源系统中，该MOSFET可作为DC-AC逆变级的核心开关器件，提供稳定的交流输出。
　　在新能源应用方面，FMC13N60ES也被用于太阳能微型逆变器或储能系统的DC-DC升压/降压转换环节，利用其高效率和高可靠性来延长系统寿命并提升能量转换效率。同时，它还可用于电子镇流器、高频加热电源、激光电源等特种电源设备中，满足对高频率、高效率和高稳定性的需求。
　　得益于其TO-220F封装的电气隔离特性，FMC13N60ES在需要加强绝缘等级的应用中表现尤为突出，例如医疗电源或工业自动化设备中，能够在保证安全性的同时提供稳定的功率输出。总体而言，FMC13N60ES凭借其综合性能优势，已成为多种中等功率电力电子系统中的主流选择之一。

KIA13N60S
　　STF13N60M2
　　IRFGB40
　　FQP13N60