时间：2025/8/8 21:36:29
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FMC06N80E是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于高频率和高效率的开关电源设计。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：800V
漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：1.5Ω
栅极电压(Vgs)：±30V
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
FMC06N80E具备低导通电阻，可有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其适用于高压电源应用，同时具备良好的抗过载和短路能力。该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于各种高功率密度设计。
此外，FMC06N80E的栅极驱动电压范围较宽，支持快速开关操作，减少开关损耗。其结构设计优化了开关过程中的能量损耗，提升了整体系统性能。在高频应用中，该器件的寄生电容较小，能够提供稳定可靠的性能表现。
FMC06N80E广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、电池充电器以及各种高电压功率管理电路中。其优异的性能使其成为工业电源、消费电子和汽车电子领域的理想选择。
FQA6N80C, FQP6N80, IRFBC20
