类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.23Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：32W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

QMV105BT5的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在相同电流条件下能够减少功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　其采用的Trench沟槽技术有助于提升开关速度，从而减少开关损耗，在高频应用中表现出色。QMV105BT5还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压情况下的可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动要求较低，通常可由标准逻辑电平驱动器直接驱动，提高了其在数字控制电源系统中的适用性。同时，其TO-252封装形式具有良好的散热性能，适用于紧凑型设计和高密度布局的电路板。
　　此外，QMV105BT5的电气特性在宽温度范围内保持稳定，适用于工业级温度要求的场景，如电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统等应用。

QMV105BT5广泛应用于各类电源管理领域，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。由于其高效率和良好的热管理能力，该器件特别适用于需要高功率密度和高可靠性的设计。
　　在消费类电子产品中，QMV105BT5可用于电源适配器、充电器和LED照明驱动电路。在工业控制领域，该MOSFET适用于PLC模块、伺服驱动器和UPS不间断电源系统。
　　此外，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池管理系统（BMS）。其高耐压和强电流承载能力使其在新能源汽车和储能系统中也具有广泛的应用前景。

Si4410BDY, IRFZ44N, FDPF10N10L, STP5NK60Z