时间：2025/8/24 11:28:22
阅读：2
FM7G20US60是一款由富士通（Fujitsu）生产的电子元器件，主要用于功率电子领域。该器件是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高耐压和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电力系统。FM7G20US60的设计优化了导通损耗和开关损耗，使其在高频率工作条件下也能保持良好的性能。
类型：功率MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：通常为0.3Ω
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电压范围：±20V
FM7G20US60具有多项显著特性，首先，其高耐压和高电流能力使其适用于多种高功率应用，例如电源转换器、逆变器和电动机控制电路。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，FM7G20US60采用了先进的封装技术，提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。其封装形式为TO-252（DPAK），这种封装方式不仅便于安装和焊接，还具备优异的机械稳定性和热稳定性。最后，该器件的工作温度范围广泛，适用于各种严苛的工作环境，包括工业控制和汽车电子系统。
FM7G20US60广泛应用于多种电力电子设备和系统中。其主要应用包括电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC转换器）、逆变器（用于太阳能发电系统和UPS不间断电源）、电动机驱动器（如直流电动机控制和步进电动机驱动器）以及工业自动化控制系统。此外，该器件也常用于高功率LED照明系统、电动汽车的电力管理系统以及其他需要高效能功率MOSFET的场合。由于其优异的电气性能和可靠的封装设计，FM7G20US60在电力电子领域中占据重要地位。
SiHP02N60FD, IRFZ44N, STP20N60
