MBM27C256-15 时间：2025/12/28 9:33:10 阅读：13

MBM27C256-15是一款由富士通（Fujitsu）生产的高性能256Kbit（32K x 8）紫外线擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于需要长期存储程序代码或数据的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及老式计算机系统中。MBM27C256-15中的“-15”表示其最大访问时间为150纳秒，适用于对读取速度有一定要求的应用场景。该器件封装形式通常为双列直插DIP28或PLCC32，顶部带有石英玻璃窗口，允许用户在擦除时暴露芯片的感光区域，以便使用紫外线光源进行批量数据清除。在编程模式下，该芯片需要+12.5V的编程电压（Vpp），而在正常读取操作中仅需标准+5V供电，兼容TTL电平接口，便于与多种微控制器和微处理器直接连接。
　　作为一款经典的EPROM产品，MBM27C256-15支持无限次读取操作，并可在紫外线照射下实现全片擦除（通常需要15至20分钟、波长253.7nm、光照强度不小于15W/cm2），之后可重新编程。该芯片具备良好的数据保持能力，在正常工作环境下可保证数据保存达10年以上。此外，它还内置了防止意外写入的保护机制，确保运行期间存储内容的安全性。尽管随着闪存技术的发展，此类EPROM已逐渐被EEPROM和Flash取代，但在一些老旧设备维护、教学实验及特定工业领域中仍具应用价值。

参数

类型：UV-EPROM
　　容量：256 Kbit (32K x 8)
　　电源电压：+5V（正常读取），+12.5V（编程）
　　访问时间：150 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：DIP28、PLCC32
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　编程电压：Vpp = +12.5V
　　待机电流：≤ 100 μA
　　工作电流：≤ 75 mA
　　擦除方式：紫外线（UV）全片擦除
　　数据保持时间：≥ 10年
　　可靠性：可承受1000次以上的擦写周期

特性

MBM27C256-15具备多项关键特性，使其在EPROM时代成为广泛应用的存储解决方案。首先，其150ns的快速访问时间确保了在各类微处理器系统中能够实现高效的数据读取，满足实时性要求较高的应用场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，在保证高速性能的同时显著降低了功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低（≤100μA），有助于延长系统电池寿命并减少热损耗。其次，该器件支持标准+5V电源供电，仅在编程时需要+12.5V的高压Vpp，这种双电压设计既保证了与现有逻辑电路的良好兼容性，又实现了可靠的编程操作。
　　另一个重要特性是其紫外线可擦除功能。通过封装顶部的石英窗口，用户可以使用专用紫外线擦除器对芯片内容进行完全清除，从而实现多次重复编程。这一特性使得MBM27C256-15在研发、调试和小批量生产阶段极具灵活性，工程师可以反复修改固件而无需更换硬件。同时，芯片内部集成了地址锁存和输出缓冲电路，提升了信号完整性与驱动能力，确保在复杂噪声环境中仍能稳定工作。
　　此外，MBM27C256-15具有出色的环境适应性和长期数据保持能力。其工作温度范围为0°C至+70°C，适合大多数商用和工业级应用。数据保存时间超过10年，即使在断电状态下也能长期保留程序和配置信息。器件还具备抗干扰能力强、抗静电性能良好等特点，并通过了多项工业可靠性测试。虽然现代系统更多采用无需窗口、电擦除的Flash存储器，但MBM27C256-15因其稳定性、可预测性和易于检测的优点，仍在教育实验、设备维修和某些军工或航空遗留系统中持续使用。

应用

MBM27C256-15主要用于需要非易失性程序存储的场合。典型应用包括老旧工业控制系统中的固件存储，如PLC模块、数控机床和自动化仪表；在通信设备中用于存放启动引导程序或协议栈代码；在嵌入式开发系统和单板计算机中作为BIOS或监控程序的载体；也常见于教学实验平台，供学生学习EPROM编程、擦除和存储原理。此外，该芯片还被用于音频设备、测量仪器、医疗设备以及军事电子系统中，特别是在那些要求长期稳定运行且不频繁更新程序的环境中。由于其可重复擦写特性，它在产品原型开发和现场调试阶段尤为有用，允许工程师快速迭代软件版本而无需更换物理芯片。尽管当前主流设计已转向SPI Flash或并行NOR Flash，但在维护已有设备或复制历史设计时，MBM27C256-15仍是不可或缺的元器件之一。