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FM600TU-3A 发布时间 时间:2025/9/29 16:39:27 查看 阅读:8

FM600TU-3A是一款由富满电子(FMEX)推出的高性能、高集成度的电源管理芯片,广泛应用于快充适配器、USB PD充电器、小功率开关电源等场合。该芯片采用先进的BCD工艺制造,集成了高压启动电路、电流模式PWM控制器以及多种保护机制,能够实现高效、稳定的电源转换。FM600TU-3A支持准谐振(Quasi-Resonant, QR)控制模式,在轻载和重载条件下均能保持较高的转换效率,并有效降低EMI干扰。该器件内置650V耐压的MOSFET,适用于离线式反激变换器拓扑结构,适合用于5W至65W范围内的AC-DC电源设计。芯片具备多模式工作能力,包括QR模式、CCM/DCM混合模式以及突发模式(Burst Mode),可根据负载情况自动切换,以优化整体能效表现。此外,FM600TU-3A还集成了完善的保护功能,如过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)以及短路保护(SCP),确保系统在异常情况下安全可靠运行。封装方面,该芯片通常采用SOP-8或DIP-8小型化封装,便于PCB布局与散热设计,适用于高密度电源产品中。

参数

型号:FM600TU-3A
  类型:PWM控制器+集成MOSFET
  最大输出功率:65W
  集成MOSFET耐压:650V
  启动电压:16V
  工作电压范围:10V~22V
  工作频率:40kHz ~ 130kHz
  控制模式:准谐振(QR)
  反馈模式:电流模式
  封装形式:SOP-8 / DIP-8
  保护功能:过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)、短路保护(SCP)
  待机功耗:<75mW@230VAC
  效率:>90%(典型应用)
  导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω

特性

FM600TU-3A采用准谐振控制技术,能够在MOSFET漏源电压最低点时开启开关,显著降低开关损耗,提升电源系统的整体转换效率。这种软开关机制不仅提高了能效,还减少了电磁干扰(EMI),有助于简化EMI滤波电路的设计,降低系统成本。该芯片具备宽范围的工作频率调节能力,可在40kHz到130kHz之间根据负载动态调整,避免音频噪声的同时维持高效率。
  其内置650V耐压MOSFET使得FM600TU-3A可以直接连接整流后的高压直流母线,无需外接启动电阻或高压启动电路,从而简化了外围电路设计并提升了系统可靠性。同时,芯片内部集成了高压电流源,可在上电后快速为VDD电容充电,实现快速启动。当系统进入轻载或空载状态时,芯片自动切换至突发模式(Burst Mode),极大降低开关频率和驱动损耗,使待机功耗控制在75mW以下,满足全球主流能效标准如Energy Star、DoE Level VI和EuP Tier 2的要求。
  在保护机制方面,FM600TU-3A提供了全面的安全保障。过流保护通过检测CS引脚上的电压实现逐周期限流;过压保护监控FB反馈回路和输出电压,防止因反馈开路或稳压失效导致的电压飙升;过温保护则通过片内温度传感器实时监测芯片结温,一旦超过阈值即关闭输出,直到温度恢复安全范围。所有这些保护功能均具有自动恢复或锁死模式可选,增强了系统的鲁棒性。此外,芯片还具备良好的线电压补偿和负载调整率,确保在输入电压波动或负载变化时仍能稳定输出。

应用

FM600TU-3A主要应用于中小功率AC-DC开关电源领域,尤其适合于高能效、小体积的快充充电器设计。常见应用包括手机、平板电脑、TWS耳机等消费类电子产品的5V/9V/12V/15V/20V多档位PD快充适配器。由于其集成度高、外围元件少,也广泛用于智能家居设备、路由器、网络摄像头、LED驱动电源、小家电电源模块等对空间和成本敏感的应用场景。此外,该芯片还可用于工业控制领域的辅助电源设计,提供稳定可靠的隔离式供电方案。得益于其优异的动态响应能力和低待机功耗表现,FM600TU-3A特别适合需要长时间待机且注重节能环保的产品。在USB Type-C单口或多口充电器设计中,配合协议芯片(如FP6606、IP2721等),可构建完整的PD+QC双协议快充解决方案。其SOP-8封装形式有利于自动化贴片生产,适用于大批量制造环境。

替代型号

OB2283, SY5802H, MP6107, TNY684PN

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FM600TU-3A参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列-
  • FET 型6 N-沟道(3 相桥)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.2 毫欧 @ 300A,15V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)7.3V @ 30mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1950nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds110000pF @ 10V
  • 功率 - 最大960W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 包装散装