类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：最大100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：最大5A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.8Ω
　　功耗(Pd)：最大1W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-92或SOT-23（具体以厂家规格为准）

H9015C MOSFET具备多项优异性能，首先其低导通电阻确保在导通状态下功耗最小，提高了电源转换效率。其次，器件的高耐压能力（Vds可达100V）使其适用于中高压电源系统，如开关电源和电机控制电路。
　　此外，H9015C的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V和5V逻辑电平控制，便于与微控制器或其他数字电路接口。该器件还具有良好的热稳定性和过载能力，在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　由于采用先进的制造工艺，H9015C在高频开关应用中表现出色，具有快速开关速度和较低的开关损耗，适用于高频DC-DC转换器和负载开关控制。此外，其小型封装形式也有利于节省PCB空间，适用于对尺寸和重量有要求的应用场景。

H9015C广泛应用于多种电子设备和系统中，包括开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机驱动器、电池管理系统、负载开关控制以及工业自动化设备。
　　在电源管理系统中，H9015C可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换和管理。在电机驱动应用中，该MOSFET可作为H桥结构中的功率开关，实现电机的正反转控制。
　　此外，H9015C也常用于电池供电设备中的负载开关，通过微控制器控制实现对负载的快速通断，延长电池寿命。在LED驱动电路中，该器件可用于调节LED的亮度或作为开关控制元件。
　　在工业控制和自动化系统中，H9015C可作为功率开关用于控制继电器、电磁阀等执行机构。

2N7002K, 2N3904, IRFZ44N