2N246 时间：2025/9/3 3:15:38 阅读：11

2N246是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛用于低噪声前置放大器和高频放大电路中。这款晶体管以其低噪声系数和良好的高频特性而闻名，适用于需要高灵敏度和低失真的应用场景。2N246通常采用TO-72或TO-92等封装形式，便于在各种电子设备中使用。

参数

类型：N沟道JFET
　　最大漏极电流（ID）：10mA
　　最大漏极-源极电压（VDS）：25V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：-25V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　跨导（Gm）：2000μS至5000μS
　　截止频率（fT）：50MHz
　　噪声系数（NF）：低于3dB

特性

2N246是一款专为低噪声放大设计的JFET，其主要特性包括低噪声系数、良好的高频响应以及稳定的性能表现。该器件在音频和射频应用中特别受欢迎，因为其噪声系数通常低于3dB，非常适合用于前置放大器和信号接收系统。此外，2N246的跨导范围在2000μS至5000μS之间，具有较高的增益能力，能够在较宽的频率范围内保持稳定的工作状态。其最大漏极电流为10mA，漏极-源极电压可达25V，栅极-源极电压则为-25V，具有较高的耐压能力。该晶体管的截止频率（fT）为50MHz，确保了在高频应用中的良好性能。此外，2N246的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境下的电子设备。

应用

2N246常用于低噪声前置放大器、高频放大电路、音频放大器、射频接收器以及信号处理设备中。其低噪声系数和良好的高频特性使其成为无线通信、音频设备和测量仪器中的理想选择。例如，在音频放大器中，2N246可以提供清晰的音质和较低的背景噪声，从而提升整体音效体验。在射频应用中，该器件能够有效地放大高频信号，同时保持信号的完整性和稳定性。此外，它还广泛应用于测试设备和工业控制系统中，作为信号放大和处理的关键元件。