存储容量：256 Kbit (32 K × 8)
　　接口类型：SPI (模式0和模式3)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　时钟频率：最高支持20 MHz
　　写耐久性：> 10^14 次写入/单元
　　数据保持时间：超过10年（典型值）
　　封装形式：8-SOIC, 8-TSSOP
　　待机电流：1 μA（典型值）
　　工作电流：5 mA（典型值，20 MHz）
　　写保护功能：支持硬件（WP引脚）和软件保护
　　页写缓冲区大小：8 字节

FM25W256-G的核心技术是铁电存储单元，使用Pb(Zr,Ti)O3（PZT）材料作为铁电层，能够在没有电源的情况下长期保持极化状态，从而实现非易失性数据存储。这种材料具有高度可逆的极化特性，在施加电场时可以快速切换方向，并且不会因反复切换而显著退化，因此赋予了F-RAM极高的写入耐久性，远超传统EEPROM（通常为10^5~10^6次）和NOR Flash（约10^5次）。这意味着FM25W256-G非常适合用于需要频繁记录传感器数据、日志文件或配置参数的工业控制系统、医疗设备和智能仪表等应用。
　　另一个显著优势是其“即时写入”能力。传统非易失性存储器如Flash必须先擦除再写入，导致数百毫秒的延迟，而F-RAM无需擦除过程，每个字节均可直接覆盖写入，写入时间仅为纳秒级。这不仅加快了数据存储速度，也减少了CPU等待时间，提升整体系统性能。同时，由于写入能耗极低，特别适合由电池供电或能量采集系统驱动的低功耗设备。
　　该器件支持标准SPI接口，易于与各类MCU连接，无需额外的电荷泵或高压编程电路。片选（CS）、串行时钟（SCK）、数据输入（SI）和输出（SO）引脚设计符合通用SPI规范，部分型号还提供IO2/IO3引脚以支持双I/O模式扩展。此外，通过WP引脚可实现硬件写保护，防止上电或掉电期间的误写操作；配合软件指令集中的写使能/禁止命令，可构建多层级数据安全机制。内置的8字节页缓冲区支持突发写入，减少协议开销，提高批量数据写入效率。
　　FM25W256-G还具备出色的抗辐射能力和长期数据稳定性，适用于恶劣环境下的高可靠性系统。相比依赖浮栅技术的Flash，F-RAM不易受紫外线、电磁干扰或高温影响，数据保持能力更强。综合来看，这款芯片在性能、寿命和可靠性方面表现优异，是替代传统EEPROM和Flash的理想选择。

FM25W256-G广泛应用于对数据写入频率高、实时性要求强以及电源受限的嵌入式系统中。常见应用场景包括工业自动化领域的PLC控制器和远程I/O模块，用于实时记录设备运行状态、故障日志和工艺参数；在智能电表、水表和气表中，作为计量数据的非易失性缓存，确保断电时不丢失累计用量信息；医疗设备如便携式监护仪和血糖仪也利用其高耐久性和低功耗特性来存储患者历史数据和校准参数。
　　在汽车电子系统中，FM25W256-G可用于车身控制模块、胎压监测系统（TPMS）和车载诊断设备（OBD），记录车辆运行状态和事件日志。由于其宽温特性和高可靠性，能在极端温度环境下稳定工作。此外，在POS终端、打印机和复印机等办公设备中，用于保存交易记录、打印任务队列和用户设置，避免因突然断电造成数据丢失。
　　物联网（IoT）节点和无线传感器网络同样受益于该芯片的优势。许多IoT设备依赖能量采集技术（如太阳能或振动发电），能量供给有限，FM25W256-G的低写入功耗使其成为理想的本地数据暂存介质。在环境监测系统中，它可以持续记录温湿度、空气质量等数据，即使在电源不稳定的情况下也能保证数据完整性。
　　此外，FM25W256-G还可用于固件配置存储、生产测试日志记录、安全密钥保存等领域。其无需擦除、快速写入的特点简化了固件更新流程，提升了系统维护效率。总体而言，任何需要高频写入、快速响应和长期数据可靠的场合都是其适用领域。

CY15B104QI,F-RAM25H256