MTD2N50E 和 FQD3N54C 是两种常见的功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路以及电机控制等领域。MTD2N50E 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高电压和中等电流的应用场景。FQD3N54C 也是一款 N 沟道 MOSFET,具有较高的耐压能力,适用于需要高可靠性的功率系统。
MTD2N50E:
最大漏极电压(VDS):500V
最大漏极电流(ID):2.0A(在25°C)
栅极-源极电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):约3.0Ω
功率耗散(PD):50W
FQD3N54C:
最大漏极电压(VDS):500V
最大漏极电流(ID):3.0A(在25°C)
栅极-源极电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):约2.5Ω
功率耗散(PD):60W
MTD2N50E 具有良好的热稳定性和较高的击穿电压,适合用于开关电源、LED 驱动器以及逆变器等设备。该器件采用了高压工艺制造,具有较强的抗过载能力,并且具备较低的开关损耗。此外,MTD2N50E 的封装形式通常为 TO-220,便于安装和散热。
FQD3N54C 则具有较低的导通电阻,能够在相同工作条件下提供更低的功率损耗。其设计优化了高频开关性能,适合用于 DC-DC 转换器、马达驱动以及电池管理系统。该器件同样采用 TO-220 或 DPAK 封装,支持快速安装并具备良好的散热性能。
MTD2N50E 常见于工业控制、照明驱动、小型电源系统以及家用电器中的功率控制模块。FQD3N54C 则广泛应用于电动车、工业自动化、UPS(不间断电源)、光伏逆变器以及高效率电源转换设备中。
MTD2N50E 可替代型号包括:IRF840、FQP8N50C;FQD3N54C 可替代型号包括:IRF740、FQP3N55C