容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　接口类型：SPI (支持模式0和模式3)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持20 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-pin SOIC 或 TSSOP
　　写入耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：超过10年（在+85°C下）
　　待机电流：典型值10 μA
　　工作电流：典型值7 mA（在20 MHz SPI时钟下）
　　写保护功能：支持硬件（WP引脚）和软件写保护
　　存储架构：线性寻址，按字节操作
　　无延迟写入：无需等待写周期完成

FM25V01A-G的核心技术基于铁电存储单元（Ferroelectric Random Access Memory），其存储原理不同于传统的浮栅技术（如Flash或EEPROM），而是利用铁电材料的极化状态来存储数据。这种物理机制使得每个存储单元可以在极短的时间内完成写入操作，并且不会因反复写入而导致介质老化。具体而言，FRAM的写入速度几乎与RAM相当，单字节写入时间仅为几十纳秒，远快于EEPROM所需的毫秒级写入时间。这一特性极大提升了系统的整体响应速度，特别适合用于实时数据采集、事件日志记录、配置参数频繁更新等应用场景。此外，由于没有写入延迟，控制器无需轮询状态寄存器或等待写完成信号，从而减少了CPU占用率，提高了系统效率。
　　另一个显著优势是其超高的写入耐久性。传统EEPROM通常只能承受约10万到100万次的写入操作，而FM25V01A-G支持高达10^14次的读写周期，这意味着在实际应用中几乎可以视为“无限次”写入。这对于需要每秒多次写入数据的系统（如传感器节点、电表、医疗监测设备）至关重要，能够显著延长产品寿命并降低维护成本。同时，该芯片在断电后仍能可靠保存数据，数据保持时间在室温下可达10年以上，在高温环境下（+85°C）也能保证至少10年的数据完整性。
　　在功耗方面，FM25V01A-G表现出色。其工作电流仅为7mA左右（在20MHz SPI速率下），待机电流低至10μA，非常适合电池供电或能量采集系统。相比需要高电压编程的EEPROM和Flash，FRAM的工作电压更低，且无需内部电荷泵，进一步降低了能耗。此外，该芯片支持硬件写保护（通过WP引脚）和软件写保护机制，有效防止意外修改关键数据，提升系统安全性。综合来看，FM25V01A-G凭借其高速、高耐久、低功耗和非易失性四大优势，成为高性能嵌入式系统中理想的存储解决方案。

FM25V01A-G因其独特的性能优势，广泛应用于多个高可靠性与高频写入需求的领域。在工业自动化控制系统中，常用于存储PLC的运行参数、故障日志、校准数据等，由于其无延迟写入特性，能够在设备突发断电时迅速保存关键状态信息，避免数据丢失。在智能电表、水表、气表等计量设备中，FM25V01A-G被用来记录用户的使用数据、时间戳和操作历史，其高耐久性确保即使每天数千次写入也能持续工作多年而不会出现存储失效问题。在医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪、输液泵中，该芯片用于保存患者数据、设备配置和事件记录，保障数据安全与合规性。
　　在汽车电子领域，FM25V01A-G可用于车载黑匣子（Event Data Recorder）、胎压监测系统（TPMS）和车身控制模块中，记录车辆运行状态和事故相关信息，满足车规级环境下的稳定性要求。在物联网终端设备中，例如远程传感器节点、无线网关和边缘计算设备，该芯片支持频繁的数据缓存与本地存储，配合低功耗MCU实现长时间无人值守运行。此外，在POS机、打印机、条码扫描器等商用设备中，FM25V01A-G也用于保存交易记录、打印任务队列和用户设置，提升设备响应速度和可靠性。总之，任何需要快速、安全、持久地存储动态数据的应用场景，都是FM25V01A-G的适用范围。

CY15B104QSN, FM25W04, MB85RS1MT, STM3240RBT6内置FRAM, FM25V02