存储容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　接口类型：SPI 四线制（SI, SO, SCK, CS）
　　时钟频率：最高20 MHz
　　工作电压：2.7 V ~ 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写入耐久性：10^14 次/字节
　　数据保持时间：10年 @ +85°C，95% RH
　　封装类型：8-SOIC, 8-TSSOP
　　写入周期时间：无延迟写入（零等待时间）
　　待机电流：15 μA（典型值）
　　工作电流：6 mA（@ 20 MHz）

FM25V01的核心特性之一是其基于铁电存储技术的非易失性存储单元，这使其兼具RAM的高速写入能力和EEPROM的非易失性优势。传统Flash或EEPROM在写入前必须执行擦除操作，且每个存储单元的写入寿命通常限制在10万次左右，而FM25V01则无需擦除步骤，支持字节级直接写入，且写入耐久性高达10^14次，这意味着在实际应用中几乎可以视为无限次写入，极大地提升了系统的可靠性和使用寿命。例如，在需要每秒多次写入数据的数据采集系统中，使用传统EEPROM可能很快达到寿命极限，而FM25V01则可稳定运行数十年。
　　该芯片支持标准SPI通信协议，兼容Mode (0,0) 和 Mode (1,1)，允许与广泛的微控制器无缝对接。其20 MHz的SPI时钟速率使得写入和读取操作极为迅速，读取访问时间仅为几十纳秒级别，远快于Flash或EEPROM的毫秒级写入延迟。这种即时写入能力消除了因等待写入完成而导致的系统停顿，提高了整体系统效率。
　　FM25V01具备出色的环境适应性，工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），适合在恶劣环境下长期运行。同时，其低功耗特性使其非常适合电池供电设备，如便携式医疗仪器、无线传感器网络节点等。芯片内部集成了上电复位电路和写保护功能，防止意外写入，增强了数据安全性。此外，FRAM技术不受辐射影响，具有较强的抗干扰能力，适用于航空航天、汽车电子等高可靠性要求领域。
　　值得一提的是，FM25V01的数据保持能力在高温高湿环境下依然表现优异，官方标称在+85°C、95%相对湿度条件下仍可保持数据长达10年，远超许多同类产品。这一特性使其在户外监控设备、能源计量仪表等长期部署场景中表现出色。综合来看，FM25V01以其高速、高耐久、低功耗和高可靠性，成为替代传统非易失性存储器的理想选择。

FM25V01广泛应用于需要频繁写入、快速响应和长期数据保留的嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用于实时记录设备状态、工艺参数和故障日志。由于其高写入耐久性，特别适合用于事件记录器或黑匣子系统，能够持续记录数千小时的操作数据而不会出现存储磨损问题。
　　在智能电表、水表、气表等智能计量设备中，FM25V01用于存储用户的用量数据、校准信息和操作日志。这些设备通常需要每天多次写入数据，并在断电时保证数据不丢失，FM25V01的非易失性和无延迟写入特性完美满足此类需求。此外，在医疗设备如血糖仪、心电图机、便携式监护仪中，FM25V01可用于存储患者测量数据和设备配置信息，确保关键数据的安全性和可追溯性。
　　汽车电子系统也越来越多地采用FM25V01，用于存储车载诊断信息（OBD）、行车记录、ECU配置参数等。其宽温特性和高可靠性符合车规级应用要求。在消费类电子产品中，如打印机墨盒识别、游戏外设配置存储、POS终端交易日志记录等场景，FM25V01同样展现出优越性能。此外，由于其抗辐射能力强，也被用于航空航天和军事领域的数据记录系统。总之，任何需要“像RAM一样快，像Flash一样非易失”的存储解决方案，FM25V01都是一个极具竞争力的选择。

CY15B104QSN,CY15B104QSNC,F-RAM FM25V02