TYN616是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频开关电源、充电器和适配器等场景。该器件采用DFN5*6封装形式,具备低导通电阻和快速开关速度的特点小整体体积。
其内置GaN HEMT结构,具有高电子迁移率特性,能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗。此外,该芯片还集成了多种保护功能,如过温保护和短路保护,确保在复杂应用环境下的稳定性和可靠性。
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
最大漏源电压(Vds):650V
导通电阻(Rds(on)):160mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th)):1.5V~3V
最大漏极电流(Id):8A
输入电容(Ciss):1400pF
输出电容(Coss):27pF
反向恢复时间(trr):25ns
封装形式:DFN5*6
1. 高效性能:得益于氮化镓材料的高电子迁移率,TYN616可实现快速开关速度,降低开关损耗。
2. 小型化设计:DFN5*6封装形式使得该器件非常适合于空间受限的应用场合。
3. 低导通电阻:Rds(on)仅为160mΩ,在高频开关过程中能有效减少传导损耗。
4. 内置保护功能:集成过温保护和短路保护机制,提高了系统的可靠性和安全性。
5. 宽电压范围:支持高达650V的漏源电压,适用于多种不同应用场景。
6. 快速动态响应:具备较低的Coss和trr参数,有助于优化高频条件下的动态表现。
1. USB PD快充适配器:利用其高频开关特性和高效性能,可设计出更紧凑、更高效的USB-PD充电器。
2. 开关电源(SMPS):适合用于各类AC-DC转换器中,提高系统效率的同时缩小体积。
3. LED驱动电源:为LED照明设备提供高效稳定的电源解决方案。
4. 无线充电器:在无线充电应用中,TYN616可以实现更高的能量传输效率。
5. 工业电源:适用于工业控制领域中的各种高频开关电源需求。
GXT6508E
TYN618
GAN063-650WSA