存储容量：64 Kbit (8 K × 8)
　　接口类型：SPI（支持标准/双/四I/O模式）
　　工作电压：2.0V 至 3.6V
　　时钟频率：最高 20 MHz
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-SOIC, 8-TSSOP, 8-UDFN
　　写入耐久性：10^14 次读写周期
　　数据保持时间：95 年（典型值）
　　待机电流：1 μA（典型值）
　　工作电流：2 mA（典型值，20 MHz）
　　写保护功能：支持硬件（WP引脚）与软件写保护
　　存储架构：线性寻址，无页面限制
　　访问方式：随机读写，字节级写入

FM25CL64的核心优势在于其采用的铁电存储技术（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM），这种技术不同于传统的浮栅型EEPROM或Flash存储器，它利用铁电晶体材料的极化状态来存储数据。当施加电场时，铁电材料可以稳定地处于两种不同的极化方向，分别代表逻辑“0”和“1”。这一物理特性使得FRAM在断电后仍能长期保持数据，具有非易失性；同时，由于没有电子隧穿过程，写入操作非常快速且不会造成介质老化，因此具备近乎无限的写入寿命。相比之下，普通EEPROM通常只能承受约10万到100万次写入，而FM25CL64可达到10^14次，高出数个数量级，极大地延长了系统的使用寿命并减少了维护成本。
　　另一个关键特性是其极快的写入速度。传统EEPROM在每次写入后需要数十毫秒的写入周期等待时间，期间无法响应其他操作，严重影响系统性能。而FM25CL64的所有写操作都是即时完成的，无需延时，允许连续不断地进行数据记录。这对于实时数据采集系统（如传感器日志、电表计费、黑匣子记录等）至关重要。例如，在电力监控设备中，每当发生异常事件时，系统必须迅速将当前运行参数保存下来，若使用传统EEPROM可能因写入延迟导致数据丢失，而FM25CL64则能够确保每一笔关键信息都被及时持久化。
　　此外，FM25CL64支持多种SPI工作模式（Standard/Dual/Quad I/O），可在相同时钟频率下显著提升数据吞吐率。在四I/O模式下，地址和数据可通过四条数据线并行传输，有效提高总线利用率，降低通信时间。该芯片还具备低功耗特性，待机电流仅为1μA左右，适合电池供电或能量采集系统。内置的硬件写保护引脚（WP）可防止在电源不稳定或系统复位过程中发生误写操作，增强数据安全性。整体而言，FM25CL64在可靠性、耐久性、速度和功耗之间实现了优异平衡，是高性能非易失性存储应用的理想选择。

FM25CL64因其高耐久性、快速写入和低功耗特性，被广泛应用于多个对数据完整性要求严格的行业领域。在工业自动化系统中，常用于PLC控制器、远程I/O模块和现场总线设备中，用于存储配置参数、运行日志和故障记录。这些系统往往需要频繁更新状态信息，传统EEPROM容易因写入次数限制而提前失效，而FM25CL64则可长期稳定运行。
　　在智能电表、水表和燃气表等公用事业计量设备中，FM25CL64用于保存计费数据、抄表记录和事件日志。由于计费信息需高度可靠且不能丢失，尤其是在突然断电的情况下，FRAM的即时写入能力和非易失性保障了数据安全。此外，在医疗设备如便携式监护仪、血糖仪和输液泵中，FM25CL64可用于存储患者治疗数据、设备校准参数和操作历史，确保符合医疗法规对数据追溯性的要求。
　　在汽车电子领域，该芯片适用于车身控制模块、胎压监测系统（TPMS）和车载诊断系统（OBD），用于记录车辆运行状态和故障码。其宽温特性和抗振动能力使其适应严苛的车载环境。物联网终端设备（如无线传感器节点、RFID读写器）也广泛采用FM25CL64，特别是在使用能量采集技术供电的场景下，其低功耗和无需写等待的特性可最大限度减少能耗，延长设备续航时间。此外，FM25CL64还可作为微控制器的外部数据缓存，替代SRAM+备份电池方案，简化设计并提高可靠性。

MB85RS64B