时间：2025/12/27 8:32:51
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7N90G-TQ2-R是一款由ON Semiconductor生产的高压、高速MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的平面条纹式沟道技术制造。该器件专为高效率开关电源应用而设计，具备优良的性能和可靠性。7N90G-TQ2-R属于N沟道增强型功率MOSFET，其名称中的“7N”表示其为7A电流等级、N沟道结构，“90”代表其漏源击穿电压为900V，“G”通常指特定的封装或产品系列标识。后缀“-TQ2-R”表明其封装形式为TO-220F或类似变体，并支持卷带包装（tape and reel），适合自动化贴片生产流程。该器件广泛应用于如AC-DC转换器、离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动电源、待机电源、反激式变换器等需要高耐压与低导通损耗的场合。得益于其优化的栅极电荷与导通电阻参数，7N90G-TQ2-R在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗与温升，提升系统整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性与雪崩能量承受能力，能够在严苛工作环境下稳定运行。
类型：N沟道
极性：增强型
漏源电压（VDS）：900V
漏极电流（ID）@25°C：7A
漏极电流（ID）@100°C：3.5A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：1.1Ω @ VGS=10V
阈值电压（VGS(th)）：3~5V @ ID=250μA
总栅极电荷（Qg）：60nC @ VDS=720V, ID=7A
输入电容（Ciss）：800pF @ VDS=25V
输出电容（Coss）：130pF @ VDS=25V
反向恢复时间（trr）：480ns @ IF=3.5A, dI/dt=100A/μs
功率耗散（PD）：50W
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220F
安装类型：通孔
7N90G-TQ2-R采用ON Semiconductor成熟的高压MOSFET工艺，具备出色的动态与静态电气特性，适用于多种高电压、中功率的开关应用。其最大漏源电压高达900V，使其能够直接用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的离线式电源设计中，无需额外的电压钳位或复杂的保护电路，从而简化系统设计并提高可靠性。该器件的导通电阻典型值为1.1Ω，在同类900V N沟道MOSFET中处于较优水平，有助于降低导通状态下的功率损耗，减少发热，提升能效。其栅极电荷（Qg）仅为60nC，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较少，可减轻驱动电路负担，同时降低开关过程中的交叠损耗，有利于实现更高的转换效率。
该器件具备良好的开关速度，输入电容（Ciss）为800pF，输出电容（Coss）为130pF，在高频操作下表现出较小的容性负载，有助于加快开关过渡过程。其反向恢复时间（trr）为480ns，配合快速恢复或超快恢复二极管使用时，可有效抑制二次击穿风险，提升系统鲁棒性。7N90G-TQ2-R还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或电感负载突变情况下维持器件完整性，增强了在实际应用中的抗干扰能力与耐用性。器件的阈值电压范围为3V至5V，确保在标准逻辑电平驱动下可靠开启，同时避免因噪声引起的误触发。其热阻（RθJC）较低，结合50W的最大功率耗散能力，可在适当散热条件下长时间稳定工作。TO-220F封装具备良好的散热性能和机械强度，适用于工业级环境下的长期运行。
7N90G-TQ2-R广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其适用于需要高耐压与高效率的场景。常见应用包括离线式反激变换器（Flyback Converter），用于家电、消费电子设备中的待机电源模块，提供稳定的辅助供电。在LED照明驱动电源中，该器件可用于隔离式恒流驱动拓扑，满足高功率因数与低谐波失真的设计要求。此外，它也适用于AC-DC适配器、充电器、小型逆变电源以及工业控制电源单元。由于其具备900V的高击穿电压，特别适合用于PFC（功率因数校正）后级主开关或非连续导通模式（DCM）反激拓扑中的主控开关管。在待机电源设计中，7N90G-TQ2-R能够在轻载条件下保持高效率，符合能源之星、欧盟CoC等能效标准。该器件还可用于电机驱动电路中的初级开关元件，或作为高压侧开关在半桥或全桥拓扑中使用。其高可靠性和良好的热稳定性使其适用于工业自动化、智能家居、网络通信设备等对长期运行稳定性要求较高的领域。
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"STP7NK90ZFP",
"FQP9N90C",
"K2742",
"2SK2742",
"SIHP9N90E"
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