FM25CL04-G 是由 Cypress Semiconductor(前身为 Fujitsu)生产的一款 4K 位的非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片。与传统的EEPROM或闪存不同,FRAM 技术结合了RAM的速度和非易失性的特点,能够在断电后依然保留数据,并且支持几乎无限次的读写操作(通常在10^12次以上)。这使得 FM25CL04-G 在需要频繁写入、低功耗和高可靠性的应用中表现出色。
容量:4K bit (512 x 8)
接口类型:I2C
工作电压:2.7V 至 3.6V
最大时钟频率:1MHz(高速模式)
写入耐久性:1012 次/单元
数据保持时间:10 年 @ +85°C
封装类型:8引脚 SOIC、TSSOP 和 PDIP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
FM25CL04-G 的核心优势在于其 FRAM 存储技术的独特性能。首先,它具备类似于 SRAM 的高速写入能力,而无需等待写周期完成,消除了传统 EEPROM 或 Flash 所需的写入延迟。其次,该芯片拥有极高的写入耐久性,可支持高达 1012 次写入操作,远超 EEPROM 和 Flash 的十万次至百万次级别,非常适合用于日志记录、传感器数据存储等高频写入场景。
此外,FM25CL04-G 支持标准 I2C 接口,兼容性强,易于集成到现有系统中。其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,适用于多种电源环境,同时具备良好的低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低。该芯片还具备卓越的数据保持能力,在 +85°C 下仍可保持数据长达 10 年以上,适合高温环境下的长期运行。
从可靠性角度来看,FM25CL04-G 的设计符合工业级标准,可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作,适用于工业控制、智能电表、医疗设备等对稳定性要求较高的应用场景。
由于其出色的写入耐久性和高速性能,FM25CL04-G 常用于需要频繁数据记录和快速写入的应用场合。典型应用包括智能电表中的数据存储、工业控制系统中的事件日志记录、医疗设备中的患者数据保存、安防系统中的配置信息存储以及各种物联网节点中的传感数据缓存。此外,该芯片也可作为低功耗系统的临时数据缓冲区,替代传统的 EEPROM 或 Flash 存储器以提高系统寿命和稳定性。
MB85RC64TA2-GBP-HNE1, BR24L08FJ-WE2