IRFR5505TR是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-264封装。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景中。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和快速开关性能。这些特性使其在高效能功率管理应用中表现优异。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:38A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷:117nC
总电容:409pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
IRFR5505TR具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力,支持高频应用场景。
3. 优化的热性能设计,有助于提高系统的可靠性。
4. 强大的过流能力,适用于大功率负载控制。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
该器件适用于多种电力电子领域:
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统中的保护和放电控制。
6. 通信电源和其他高效能功率变换模块。
IRF540N, FDP55N06L, STP55NF06L