时间：2025/8/13 3:43:43
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LUDZS6.8MBT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压应用。该器件采用 SOD-123 表面贴装封装，具有低动态电阻和良好的温度稳定性，适用于各种精密稳压电路。齐纳二极管在反向击穿区域工作，能够提供一个稳定的参考电压，广泛用于电源管理、电压监测和保护电路中。
类型：齐纳二极管
封装类型：SOD-123
齐纳电压：6.8V
最大齐纳电流：200mA
最大功耗：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
LUDZS6.8MBT1G 是一款高性能齐纳二极管，其核心特性之一是其稳定的齐纳电压，确保在各种工作条件下都能提供准确的参考电压。该器件的动态电阻较低，有助于减少负载变化对输出电压的影响，提高电路的稳定性。
此外，LUDZS6.8MBT1G 采用 SOD-123 封装，具有较小的体积和良好的热性能，适合在高密度 PCB 设计中使用。其最大齐纳电流为 200mA，能够在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出，适用于多种电压调节应用。
LUDZS6.8MBT1G 主要应用于需要稳定参考电压的场合，如线性稳压器、开关电源、电池充电器和电压监测电路。它还可用于过压保护电路中，作为基准电压源，确保系统在电压异常时能够及时响应并保护关键电路组件。
在工业自动化和控制系统中，该齐纳二极管可作为参考电压源，用于比较器、ADC 和 DAC 等模拟电路中，提高系统的测量精度和稳定性。此外，它也可用于汽车电子系统、消费类电子产品和通信设备中，提供可靠的电压参考和稳压功能。
LUDZS6.8BT1G, MMSZ5239BT1G, BZX84C6V8, LUDZS6.8B-T
