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FM24V02-GTR 发布时间 时间:2025/7/25 17:01:53 查看 阅读:9

FM24V02-GTR 是由 Cypress Semiconductor(原富士通半导体)生产的一款铁电存储器(FRAM)芯片。它具有2 Kbit的存储容量,组织为256 x 8位。与传统的EEPROM和Flash存储器相比,FM24V02具有更高的写入速度、更低的功耗和无限次的读写耐久性。该芯片采用I2C接口通信,广泛应用于需要频繁写入数据或要求高可靠性的系统中。FM24V02-GTR 采用8引脚TSSOP封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:2Kbit
  组织结构:256 x 8位
  接口类型:I2C
  工作电压:2.7V - 3.6V
  最大时钟频率:1MHz(I2C)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-TSSOP
  写入耐久性:1012次/位
  数据保持时间:超过10年
  封装引脚数:8

特性

FM24V02-GTR 的核心优势在于其基于铁电技术的非易失性存储单元,具备几乎无限的写入耐久性(1012次/位),远高于传统EEPROM的10?~10?次限制。这使得该芯片特别适合用于频繁写入数据的应用场景,如日志记录、传感器数据采集和配置参数存储。此外,其高速写入能力(无需写入延迟)显著提高了系统响应速度。
  FM24V02-GTR 的工作电压范围为2.7V至3.6V,使其兼容多种电源设计,并在低电压环境下仍能保持稳定运行。该芯片支持标准和快速I2C模式(最高1MHz),提高了数据传输效率。芯片内置硬件写保护功能,可防止意外数据覆盖,增强数据安全性。
  与传统非易失性存储器相比,FM24V02-GTR 不仅具备更低的功耗特性,而且在断电情况下无需备用电源即可保持数据完整性。其8-TSSOP封装形式节省PCB空间,适合紧凑型设计。FM24V02-GTR 符合RoHS环保标准,广泛适用于工业自动化、医疗设备、智能电表、消费电子等领域。

应用

FM24V02-GTR 常用于需要高耐久性、高速写入和低功耗特性的应用场景。例如,在工业控制系统中,可用于存储设备配置参数和运行日志;在智能仪表中,用于记录实时测量数据;在医疗设备中,用于存储患者数据和设备校准信息。此外,该芯片也适用于POS终端、条码扫描器、安防系统、物联网节点等需要频繁写入非易失性数据的场合。其高可靠性也使其成为汽车电子系统中用于存储关键数据的理想选择。

替代型号

MB85RC256V, CYFRAM-2K-I2C

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FM24V02-GTR参数

  • 产品培训模块What is F-RAM, An Introduction to Ferroelectric RAM
  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型FRAM(Ferroelectric RAM)
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度3.4MHz
  • 接口I²C,2 线串口
  • 电源电压2 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称1140-1018-6