时间：2025/8/14 2:13:28
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LBZX84C43LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装（SMD）齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和电压调节应用。该器件采用 SOD-323 封装，适合在便携式电子设备、电源管理系统、电池供电设备等场合中使用。其齐纳电压标称值为 4.3V，在测试电流下具有较高的电压稳定性和较低的动态阻抗。由于其小尺寸和高性能，LBZX84C43LT1G 广泛应用于消费类电子产品和工业控制系统中。
齐纳电压 Vz：4.3V（@ Izt = 5mA）
最大齐纳电流 Izmax：100mA
测试电流 Izt：5mA
动态阻抗 Zzt：300Ω（最大）
漏电流 Ir：100nA（最大，@ Vr = 1V）
功率耗散 Pd：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-323
引脚数：2
LBZX84C43LT1G 是一款性能稳定的低功耗齐纳二极管，适用于对电压精度和稳定性有较高要求的电路设计。该器件在反向击穿区域工作时能提供稳定的参考电压，适用于电压调节、基准电压源、过压保护电路等应用。
其主要特性包括：1）齐纳电压精度高，典型值为 4.3V，在测试电流下具有良好的电压稳定性；2）动态阻抗较低，有助于减小电压波动，提高电路的稳定性；3）漏电流极低，在反向非击穿状态下漏电流不超过 100nA，适合用于低功耗电路；4）SOD-323 小型封装，节省 PCB 空间，适用于高密度电路板设计；5）最大连续齐纳电流可达 100mA，满足中等功率应用需求；6）具备良好的温度稳定性，可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于各种工业和消费类应用环境。
此外，该器件的功率耗散为 300mW，确保在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。由于其封装小巧、性能稳定，LBZX84C43LT1G 常用于电源管理、电池充电、电压监测、微控制器参考电压源等应用场景。
LBZX84C43LT1G 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中。典型应用包括：1）电源管理系统中的基准电压源；2）电池供电设备中的电压监测电路；3）DC-DC 转换器和稳压器中的反馈参考；4）保护电路中的过压检测节点；5）工业控制系统中的模拟信号调节电路；6）消费类电子产品如智能手机、平板电脑、穿戴设备中的电压调节模块。
此外，该器件也可用于校准仪器、传感器信号调理、电压钳位保护等场景。由于其良好的温度稳定性和低漏电流特性，LBZX84C43LT1G 特别适合用于对功耗和空间都有严格要求的便携式设备。
BZX84C4V3LT1G, ZMM43VT1G, MMSZ4643T1G
