时间：2025/7/11 13:10:03
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FM21X223K251ECG 是一款高性能的非易失性存储器芯片，基于 Ferroelectric RAM（FRAM）技术。该芯片具有低功耗、高速读写和高耐久性的特点，适合各种工业和消费类应用场景。它采用串行外设接口（SPI），支持高达 40 MHz 的时钟频率，并提供可靠的存储解决方案。
FRAM 技术使得 FM21X223K251ECG 能够在无需额外电源的情况下保存数据，同时具备比传统 EEPROM 和闪存更快的写入速度和更高的写入次数。
容量：256 Kbits
接口：SPI
工作电压：1.7 V 至 3.6 V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WLCSP-6
数据保持时间：超过 10 年
擦写次数：超过 10^12 次
FM21X223K251ECG 的主要特性包括：
1. 高速 SPI 接口支持高达 40 MHz 的时钟频率。
2. FRAM 技术实现超低功耗操作，尤其在写入数据时表现出色。
3. 支持单周期写入，无需页面缓冲或等待时间。
4. 具备出色的抗辐射能力，适用于恶劣环境。
5. 小尺寸封装设计，适合空间受限的应用场景。
6. 宽工作电压范围（1.7 V 至 3.6 V），兼容多种供电条件。
7. 超过 10 年的数据保持能力和超过 10^12 次的擦写寿命，确保长期可靠性。
FM21X223K251ECG 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化中的实时数据记录和配置存储。
2. 医疗设备中用于保存关键患者信息和校准数据。
3. 消费电子产品的固件更新和用户偏好存储。
4. 物联网设备中的日志记录和状态跟踪。
5. 计量仪器中的测量数据存储。
6. 汽车电子系统中的传感器数据缓存和事件记录。
FM21L16A-25-G, MB85RS2MT-SNE-TR
