MV06E240T2R5 是一款高密度、低功耗的 DDR3L SDRAM 芯片,广泛应用于嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品中。该芯片具有快速的数据传输速率和较低的工作电压,能够满足现代电子设备对高性能和低功耗的需求。
DDR3L(Low Voltage)是 DDR3 的一个低电压版本,工作电压为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 更加节能,适合对功耗敏感的应用场景。
类型:SDRAM
存储容量:4Gb
组织方式:x8/x16
数据宽度:8位/16位
工作电压:1.35V
I/O 电压:1.35V
数据速率:1600Mbps
封装形式:TFBGA 78pin
工作温度:-40°C 至 +85°C
引脚间距:0.8mm
MV06E240T2R5 提供了卓越的性能与低功耗特点,具体包括:
1. 支持高达 1600Mbps 的数据传输速率,能够满足高速数据处理需求。
2. 工作电压为 1.35V,相较于传统 DDR3 的 1.5V 更节省能源。
3. 内置自动刷新和电源管理功能,进一步优化功耗表现。
4. 支持多种省电模式,如深度电源降级 (Deep Power Down) 模式。
5. 兼容主流的 DDR3 控制器接口,便于设计整合。
6. 提供 x8 和 x16 的数据总线宽度选择,灵活性高。
7. 封装采用紧凑型 TFBGA 78 球设计,适用于空间受限的应用环境。
MV06E240T2R5 主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统,如工业控制、医疗设备和物联网终端。
2. 网络通信设备,例如路由器、交换机和网关。
3. 消费类电子产品,包括智能电视、机顶盒和游戏机。
4. 可穿戴设备和其他需要高效能与低功耗结合的产品。
5. 便携式电子设备,如平板电脑和移动终端。
MV06E240T2R4, MV06E240T2P5, H5TC4G63AFR-PBA, MT41K256M16HA-125