FM21N681J251ECG是一款高性能的嵌入式非易失性存储器芯片,专为工业和汽车应用设计。该芯片基于铁电随机存取存储器(FRAM)技术,具有低功耗、高速读写和高耐用性的特点。它适用于需要频繁数据记录、实时数据保存或恶劣环境下工作的设备。
FM21N681J251ECG采用SOIC-8封装形式,工作电压范围宽广,并具备出色的抗干扰能力。其非易失性特性使其在断电时能够可靠地保存数据,非常适合用于数据日志记录、配置参数存储等场景。
类型:FRAM
容量:64Kbit (8K x 8)
接口:I2C
工作电压:1.8V至3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOIC-8
读/写耐久性:超过10^12次
数据保存时间:超过10年
I2C通信速度:标准模式(100kHz)及快速模式(400kHz)
FM21N681J251ECG采用了FRAM技术,与传统EEPROM和闪存相比,具备显著的优势。首先,它支持几乎无限次数的读写操作,从而避免了因频繁写入而导致的存储单元磨损问题。
其次,它的写入速度极快,无需等待写入完成即可进行下一次操作,大大提高了系统效率。
此外,该芯片功耗极低,在待机模式下电流消耗微乎其微,非常适合电池供电的应用场景。
最后,FM21N681J251ECG具有较高的抗辐射性能,能够在工业和汽车环境中稳定运行,确保数据的完整性和可靠性。
该芯片广泛应用于各种需要高可靠性和频繁数据记录的场景中,例如工业控制设备中的数据日志记录、医疗设备中的患者数据存储、消费类电子产品中的配置参数保存以及汽车电子系统的事件记录功能。
具体应用包括但不限于:
- 工业自动化控制器中的状态信息存储
- 医疗设备中的病人监测数据记录
- 汽车黑匣子中的行车数据记录
- 智能仪表中的计量数据存储
由于其高耐用性和低功耗特性,FM21N681J251ECG也常被用作替代传统EEPROM或闪存解决方案的选择。
FM21L16, MB85RC64T, CY15B104Q