类型：碳化硅 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大漏极电流（ID）：120 A（Tc=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：60 mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：45 nC（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 nC
　　封装形式：TSC（Thermally Enhanced Surface Mount Package）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

MIXD600PF650TSF 的核心优势在于其基于碳化硅材料的功率 MOSFET 结构，这种材料具有比传统硅基器件更高的热导率和击穿电场强度，从而实现了更高的功率密度和效率。该器件的导通电阻仅为 60 mΩ，能够在高电流条件下保持较低的导通压降，显著减少导通损耗。此外，其栅极电荷（Qg）仅为 45 nC，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗，提高系统效率。由于碳化硅材料的特性，该 MOSFET 具备极低的反向恢复电荷（Qrr），使得其在同步整流和桥式电路中表现出色，极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。MIXD600PF650TSF 还具备出色的热稳定性，其工作温度范围可从 -55℃ 扩展至 +175℃，适合在极端环境条件下运行。
　　此外，该器件采用 TSC 封装技术，具备优异的热管理性能，能够有效将热量传导至散热器或 PCB 板上，确保器件在高功率应用中保持稳定运行。TSC 封装还具备良好的机械强度和耐久性，提高了器件在震动和高温环境下的可靠性。MIXD600PF650TSF 还具备良好的短路耐受能力，能在短时间内承受过载电流而不发生损坏，提升了系统的安全性和可靠性。

MIXD600PF650TSF 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。其典型应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。在可再生能源领域，该器件常用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块，以提高能源转换效率并减小系统体积。此外，MIXD600PF650TSF 还适用于工业电源设备，如服务器电源、电信整流器以及高频开关电源（SMPS），在这些应用中可显著提升能效并降低系统冷却需求。由于其优异的热性能和高可靠性，该器件也常用于航空航天和军工等对环境适应性要求极高的高端电力电子系统。

Cree / Wolfspeed 的 C3M0060065J、Infineon 的 IMZ120R065M1H、STMicroelectronics 的 SCT060N65GAGP