时间：2025/5/28 11:20:46
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MT18N470J500CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和可再生能源系统等领域。该器件采用先进的GaN技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，显著提升了系统的效率和功率密度。
与传统硅基MOSFET相比，MT18N470J500CT在高频工作条件下表现更为优异，同时具备更小的封装尺寸，适用于对体积和重量有严格要求的应用场景。
类型：增强型N沟道MOSFET
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：47A
导通电阻：3.2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：80nC（典型值）
反向恢复时间：20ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-3
1. 高效开关性能：由于其低导通电阻和快速开关速度，能够有效降低导通损耗和开关损耗，提升整体系统效率。
2. 高击穿电压：650V的额定漏源电压使其能够适应高压应用环境，例如电动汽车充电设备和工业电源。
3. 紧凑设计：GaN技术允许使用更小的芯片面积，从而减小器件体积和重量。
4. 出色的热稳定性：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能输出。
5. 强大的电流承载能力：47A的持续漏极电流确保了其在高功率应用场景中的可靠性。
1. 高频开关电源：包括适配器、服务器电源和通信电源等。
2. DC-DC转换器：用于电动汽车、混合动力汽车及各种工业设备中。
3. 电机驱动：特别适合高速电机控制和逆变器应用。
4. 太阳能逆变器：提升光伏系统的能量转换效率。
5. 充电桩：支持快速充电功能的电动车充电桩设计。
MT18N470J400CT, MT18N650J500CT
