NDL0505S是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频功率放大器等应用。该器件采用了先进的GaN-on-Si工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并减小设计尺寸。
NDL0505S的工作电压范围为40V至60V,适合于中高电压的应用场景。其紧凑的封装形式进一步提升了热性能,同时简化了PCB布局。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:5A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:15nC
开关频率:超过5MHz
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:DFN5x6
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗。
2. 高速开关能力,支持高达5MHz以上的开关频率。
3. 内置ESD保护电路,增强器件的可靠性。
4. 小型化的DFN封装,减少寄生效应并提升散热性能。
5. 适用于硬开关和软开关拓扑结构。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和USB-PD快充模块。
2. DC-DC转换器,特别是隔离式和非隔离式设计。
3. 射频功率放大器,用于无线通信设备。
4. 工业自动化中的脉宽调制(PWM)驱动。
5. 汽车电子系统,如车载充电器和LED驱动器。
6. 可再生能源领域的微型逆变器和能量管理单元。
NDL0504S, NDL0506S, GaN Systems GS61008P