时间：2025/7/5 3:57:10
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FM21N470J201PAG是一款由富满微电子（Full Moon Microelectronics）生产的MOSFET功率器件。该型号属于N沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。其设计优化了导通电阻和栅极电荷特性，以实现高效能的功率转换与低功耗表现。
该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻以及较高的工作频率能力，从而使其在各类电力系统中表现出优异的性能。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：2.3A
导通电阻（典型值）：1.5Ω
栅极电荷：30nC
总电容：250pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压设计，最大漏源电压高达470V，适用于高电压应用场景。
2. 低导通电阻，在额定条件下典型值为1.5Ω，有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，栅极电荷仅为30nC，支持高频应用。
4. 具备优秀的热稳定性，能够在-55℃到+150℃的工作温度范围内稳定运行。
5. 提供强大的浪涌电流承受能力，增强了器件的可靠性。
6. 小型化封装设计，适合空间受限的应用环境。
FM21N470J201PAG广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC-DC转换器
4. 逆变器
5. 电池保护系统
6. 各类工业控制和家用电器中的功率管理模块
其高电压和低功耗的特点使其特别适合需要高效率和高可靠性的场合。
IRF840,
FDP5800,
STP20NM60,
IXFH20N45T
