FM200TU-3A是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装,专为高效率、低电压应用设计。该器件具有低正向压降和快速开关特性,适用于各种电源管理和信号整流场合。由于其紧凑的封装尺寸和优良的电气性能,FM200TU-3A广泛用于便携式电子设备、消费类电子产品以及通信设备中的电源电路中。该二极管的最大重复反向电压为20V,额定平均正向整流电流为500mA(在特定条件下),能够满足大多数低压直流电路的需求。其结构基于铂-硅接触形成的肖特基结,这种结构相比传统的PN结二极管具有更低的导通损耗和更快的恢复速度,从而提高了整体系统效率。此外,该器件符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性与可靠性,适合自动化贴片生产工艺。
在实际应用中,FM200TU-3A常被用作防止反向电流流动的保护元件、DC-DC转换器中的续流或箝位二极管、以及电池供电系统的隔离器件。其SOD-123FL封装具有较小的占板面积,有助于实现高密度PCB布局设计。制造商提供了详细的规格书和技术支持文档,便于工程师进行选型与电路仿真验证。需要注意的是,在高温环境下使用时应考虑其最大功耗限制及散热条件,以确保长期稳定运行。
型号:FM200TU-3A
封装类型:SOD-123FL
极性:单路肖特基二极管
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):500mA @ 75°C PCB焊盘温度
峰值脉冲正向电流(IFSM):8A
最大正向压降(VF):450mV @ 200mA, 25°C
最大反向漏电流(IR):100μA @ 20V, 25°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻(RθJA):350°C/W(典型值,依PCB布局而定)
安装方式:表面贴装(SMT)
无铅/符合RoHS:是
FM200TU-3A的核心优势在于其低正向压降特性,这使得它在小电流工作条件下表现出色,显著降低功率损耗并提升能效。在200mA电流下测得的最大正向压降仅为450mV,相较于传统硅二极管通常700mV以上的压降,节能效果明显。这一特性特别适用于对效率要求较高的电池供电系统,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等,能够在有限的能量资源下延长续航时间。同时,由于其采用肖特基结构,不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短(通常小于10ns),几乎无反向恢复电荷(Qrr),有效减少了开关过程中的瞬态损耗和电磁干扰(EMI),使其成为高频开关电源和高速整流应用的理想选择。
另一个关键特性是其小型化封装SOD-123FL,该封装尺寸约为2.0mm x 1.3mm x 1.1mm,体积小巧且重量轻,非常适合空间受限的应用场景。相比标准SOD-123封装,SOD-123FL更薄,更适合超薄电子产品设计。尽管封装微小,但其热性能经过优化设计,结合适当的PCB铜箔面积布局,可以有效传导热量,避免局部过热导致失效。器件还具备良好的温度稳定性,即使在高温环境(+125°C以上)下,反向漏电流增长也相对可控,确保系统在宽温范围内可靠运行。此外,该器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)、温度循环等,保证了长期使用的稳定性与一致性。所有这些特性共同使FM200TU-3A成为一个高性能、高性价比的小信号肖特基二极管解决方案。
FM200TU-3A广泛应用于各类低电压、小电流的电源管理与信号处理电路中。常见用途之一是在DC-DC转换器中作为同步整流或续流二极管使用,尤其是在升压(Boost)、降压(Buck)和升降压(Buck-Boost)拓扑中,用于提高转换效率并减少发热。由于其快速响应能力,它还能在负载切换或输入断电时提供瞬态保护,防止反向电压损坏主控芯片。另一重要应用场景是电源路径管理,例如在双电源系统(如USB供电与电池供电之间)中实现自动切换和防倒灌功能,确保只有电压较高的电源向系统供电,而不会发生回流现象。
在消费类电子产品中,该器件常用于手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备的充电管理模块中,作为电池充放电回路的隔离二极管,防止电池向充电电路反向放电。此外,它也被用于LED驱动电路中,作为防止电流倒流的保护元件,保障LED灯珠的安全运行。在通信接口电路中,如USB、RS-232、I2C等信号线上,可用于静电放电(ESD)防护和信号整形,虽然主要ESD保护由专用TVS管承担,但肖特基二极管可辅助钳位异常电压。工业控制领域中,它还可用于传感器信号调理电路中的整流与保护,特别是在低功耗无线传感节点中发挥重要作用。总之,凡涉及低电压、高效率、小体积需求的场合,FM200TU-3A都是一种可靠且经济的选择。
RB520S-40T1G
PMMS200
BAS40-04W