时间：2025/8/21 23:38:42
阅读：18
Si8461AB-A-IS1是一款来自Silicon Labs的高性能隔离式栅极驱动器芯片，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该芯片采用了Silicon Labs专利的数字隔离技术，基于CMOS工艺和硅氧烷（SiO2）绝缘层，提供了高达5 kVRMS的隔离等级，适用于工业自动化、电机控制、可再生能源系统和高可靠性电源转换设备。Si8461AB-A-IS1具有两个独立的通道，每个通道都具备高边和低边驱动能力，支持半桥或全桥拓扑结构。此外，该器件具备较强的抗干扰能力，能够工作在高温和高噪声环境中，确保系统稳定性和可靠性。
类型：隔离式栅极驱动器
隔离等级：5 kVRMS
通道数：2
输出电压范围：15V至30V（典型值20V）
输出电流能力：峰值电流可达4.0 A
传播延迟：最大100 ns
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
电源电压范围：2.9V至5.5V（数字侧）
输出驱动电压范围：15V至30V
输入信号类型：CMOS/TTL兼容
封装类型：16引脚SOIC宽体封装
Si8461AB-A-IS1具备多项先进特性，确保其在各种高要求应用中的稳定和高效运行。首先，其采用Silicon Labs的数字隔离技术，提供了高达5 kVRMS的加强型隔离，满足工业级安全标准，并增强了抗电磁干扰（EMI）能力。其次，该器件内部集成了两个独立的通道，每个通道都支持高边和低边驱动，适用于半桥、全桥和其他拓扑结构，使设计更加灵活。每个通道的输出驱动电压范围为15V至30V，峰值电流可达4.0A，能够快速驱动高功率MOSFET和IGBT，降低开关损耗并提高系统效率。此外，Si8461AB-A-IS1具有极低的传播延迟（最大100 ns）和精确的通道匹配性能，确保了控制信号的实时性和同步性，适用于高频开关应用。其输入端支持CMOS/TTL电平兼容，简化了与控制器（如MCU或DSP）的连接。该器件还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时，自动关闭输出以保护功率器件。此外，Si8461AB-A-IS1采用了16引脚SOIC宽体封装，增强了爬电距离和空气间隙，提高在高电压环境下的安全性。整体来看，该芯片在性能、安全性和可靠性方面表现出色，是工业控制、电机驱动和可再生能源系统中理想的栅极驱动解决方案。
Si8461AB-A-IS1广泛应用于需要高隔离等级和高效功率驱动的工业和能源系统中。其典型应用包括变频器、伺服驱动器、工业电机控制、太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电设备以及高可靠性电源转换模块。此外，该器件也适用于家电中的电机控制和工业自动化设备中的功率控制电路。
ADuM4223-AD, UCC21520, NCD57001, Si8261BB-C-IS1
