时间：2025/8/5 22:37:44
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IXYP10N65C3D1M是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率和高电压的应用。该MOSFET具备优良的导通电阻和快速的开关性能，适合在电源管理、马达控制和逆变器等应用中使用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：650V
漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.65Ω
栅极电荷(Qg)：27nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
IXYP10N65C3D1M具有低导通电阻和高电流处理能力，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，它还具有快速的开关特性，使得它在高频开关应用中表现出色。该MOSFET采用了先进的平面技术，提供出色的热稳定性和可靠性。
其高电压能力使其适用于各种高电压直流和交流应用，而其耐用的封装设计确保了在恶劣环境下的稳定运行。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以减少驱动电路的复杂性和成本。
该MOSFET常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、太阳能逆变器和工业自动化设备等应用。由于其高耐压和高电流能力，它在需要高可靠性和高效率的电力电子系统中非常受欢迎。此外，它也适用于照明系统、电池充电器以及各种类型的功率控制设备。
STP10NK60Z, FQP10N60C, IRFPC50
