型号：FLL190-2C
　　类型：铁电RAM (FeRAM)
　　容量：256 Kbit (32 K × 8)
　　接口类型：SPI (四线制：SI, SO, SCK, CS)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　时钟频率：最高支持20 MHz
　　写入耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：10年 @ +85°C
　　封装形式：8-pin SOP / TSSOP
　　组织结构：32,768 × 8 位
　　写入时间：无延迟写入（即时完成）
　　待机电流：典型值 10 μA
　　工作电流：典型值 5 mA @ 5 MHz

FLL190-2C的核心特性在于其采用的铁电存储技术，这种技术利用铁电材料的极化状态来存储数据，实现了非易失性和高速读写的完美结合。与传统的EEPROM相比，FeRAM的写入速度提高了数百倍，且没有写入寿命限制（高达10^14次），极大地延长了存储系统的使用寿命。由于其写入过程无需充电泵或擦除周期，因此在写入时功耗极低，也不会产生EMI干扰，适合对电磁兼容性要求较高的应用环境。
　　该芯片支持全地址空间的随机访问，读写操作响应迅速，读取速度与SRAM相当，写入速度远超EEPROM和Flash。此外，FLL190-2C具备卓越的数据保持能力，在高温环境下仍能确保数据长期稳定存储，即使在+85°C条件下也能保证10年以上不丢失。芯片内部集成了写保护功能，通过软件指令或硬件引脚（如WP引脚，若存在）可锁定特定地址区域，防止误写或恶意篡改。
　　SPI接口设计使得FLL190-2C能够轻松集成到现有系统中，支持标准模式（Mode 0, 3）的SPI通信，兼容大多数MCU的SPI控制器。其低功耗特性使其非常适合电池供电或能量采集系统。此外，该器件在制造过程中符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品的要求。整体而言，FLL190-2C在可靠性、耐久性、速度和功耗之间达到了优异的平衡，是高端嵌入式存储应用的理想选择。

FLL190-2C广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛的工业和消费类电子领域。在工业自动化系统中，常用于PLC控制器、传感器数据记录、设备配置参数存储等场景，能够实时保存运行日志和状态信息，即使突发断电也不会丢失关键数据。在医疗设备中，如便携式监护仪、血糖仪等，用于存储患者测量数据和设备校准信息，确保数据安全合规。
　　在汽车电子领域，FLL190-2C可用于车载记录仪、ECU参数存储、里程表数据备份等，其宽温特性和高抗振性能满足汽车级应用需求。在智能仪表（如水表、电表、气表）中，作为计量数据的非易失性缓存，实现高频次的数据更新而无需担心存储寿命问题。
　　此外，该芯片也适用于POS终端、打印机、办公自动化设备中的设置存储和交易日志记录。在物联网节点和无线传感器网络中，FLL190-2C可作为本地数据缓冲区，配合低功耗MCU实现高效的数据采集与暂存。由于其快速写入特性，特别适合需要“先写后发”策略的边缘计算设备，提升系统响应速度和稳定性。

MB85RS256A
　　FM25W256