型号：GPC55DG
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：55V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：90A
　　脉冲漏极电流IDM：300A
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：6.0mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：45nC
　　输入电容Ciss（典型值）：3800pF
　　开启延迟时间td(on)：15ns
　　关断延迟时间td(off)：25ns
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.5V
　　功耗PD：200W
　　工作结温Tj：-55°C ~ +175°C
　　封装：DFN5x6

GPC55DG具备出色的导通性能和开关特性，其低RDS(on)值显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。该器件在VGS=10V时的最大导通电阻仅为4.5mΩ，在同类55V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合大电流应用场景如服务器电源、电动工具和电动汽车辅助系统。其沟道设计优化了载流子迁移路径，有效降低导通压降，并减少热积累。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而进一步提升能效并减轻驱动电路负担。同时，输入电容Ciss控制在合理范围内，有助于抑制不必要的振荡和噪声，提升系统稳定性。
　　热管理方面，GPC55DG采用DFN5x6封装，底部带有裸露焊盘，可直接连接至PCB上的大面积铜箔进行高效散热，实现良好的热阻性能（RθJC）。这种封装形式不仅提升了散热能力，还支持自动化贴片生产，适用于大规模制造。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境条件下稳定运行，表现出优异的可靠性和耐用性。内置的体二极管具有快速恢复特性，能够有效处理反向电流，在桥式电路或感性负载切换过程中提供保护作用。
　　安全性方面，该MOSFET具备过温保护能力（依赖外部电路配合），并通过了多项国际标准认证，符合RoHS环保要求。其栅氧化层经过严格工艺控制，耐压能力强，避免因过压导致击穿。总体而言，GPC55DG是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热性能均有严苛要求的应用场合。

GPC55DG常用于各类中高功率电子系统中，包括但不限于：大电流DC-DC降压/升压转换器、笔记本电脑和服务器电源模块、电池管理系统（BMS）、电动车辆车载设备、工业电机驱动器、电源逆变器、LED驱动电源以及高效率开关电源（SMPS）。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适用于需要长时间大电流输出的便携式设备和工业控制系统。在同步整流拓扑中，它可作为主开关管或整流管使用，显著降低传导损耗。此外，也可用于热插拔控制器、负载开关和电源分配单元中，实现快速响应和低静态功耗。在太阳能微型逆变器和储能系统中，GPC55DG同样展现出良好的动态响应能力和长期稳定性，是现代绿色能源系统中的理想选择。