类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：160A（Tc=25℃）
　　漏源击穿电压（VDS）：30V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或类似表面贴装封装
　　最大功率耗散：180W

WST2316具有多项显著特性，适用于高性能功率管理应用。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了在高电流工作状态下的导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，从而降低了开关损耗并提高了整体系统的响应速度。
　　此外，WST2316具备优异的热稳定性和散热能力，能够在高功率密度环境下长时间稳定运行。其高耐压能力（VDS=30V）确保在各种复杂工况下仍能保持可靠工作。该器件的栅极设计支持快速开关，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路。
　　在封装方面，WST2316采用了TO-263（D2PAK）等高散热效率的封装形式，便于在PCB上安装并有效传导热量。这使得该MOSFET在高功率应用中能够保持良好的散热表现，延长器件使用寿命。
　　最后，WST2316在设计上考虑了抗静电（ESD）和抗过热保护能力，提高了器件在恶劣环境下的可靠性。这些特性使得WST2316成为汽车电子、工业控制、通信电源以及消费类电子产品中功率管理模块的理想选择。

WST2316广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于高性能DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关电路中，以提高转换效率和功率密度。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于电池管理系统、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等关键部件。
　　在工业控制方面，WST2316适用于电机驱动器、伺服控制系统和变频器等设备，其高电流承载能力和低导通损耗使其在高负载环境下表现优异。此外，在通信设备中，该器件可用于电源模块、服务器电源以及基站供电系统，以确保稳定高效的电力供应。
　　消费类电子产品中，WST2316也常用于高功率适配器、充电器、智能家电和电动工具等产品中，提供可靠的功率开关和能量转换功能。其优异的散热性能和紧凑的封装形式，使其在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

SiR3460DP-T1-GE3, IPB013N04NG4, FDS4410, STP150N3LLH5