时间:2025/12/28 9:48:09
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FLD3F7CZ是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的平面技术制造,具有低正向电压降和快速开关特性,非常适合用于电源整流、续流二极管以及反向极性保护等场景。FLD3F7CZ封装在紧凑的SOD-123FL封装中,有助于节省PCB空间,适用于便携式电子设备和高密度电路板布局。该二极管符合RoHS标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合工业、消费类电子及通信设备中的多种应用场景。其结构优化减少了寄生电感和电容,提升了高频性能表现,同时具备较强的浪涌电流承受能力,增强了系统在瞬态条件下的鲁棒性。
类型:肖特基势垒二极管
封装/外壳:SOD-123FL
最大重复反向电压(VRRM):30V
平均整流电流(IO):2A
峰值正向浪涌电流(IFSM):50A(8.3ms单半正弦波)
最大正向电压降(VF):550mV(在2A, TJ=25°C时)
最大反向漏电流(IR):0.5mA(在30V, TJ=25°C时)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻抗(RθJA):约150°C/W(典型值,依PCB布局而定)
安装类型:表面贴装(SMT)
FLD3F7CZ的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构使得器件在导通状态下具有非常低的正向电压降,通常在2A电流下仅为550mV左右,显著降低了导通损耗,从而提高了整体电源转换效率。这对于电池供电设备或对能效要求较高的电源系统尤为重要。低VF不仅减少功耗,还能降低热生成,减轻散热设计负担,有利于实现更紧凑的电源模块设计。
该器件具备优异的开关速度,由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间几乎可以忽略不计。这一特性使其特别适用于高频开关电源(如DC-DC转换器)、同步整流辅助电路以及PWM控制电路中,能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升系统响应速度与稳定性。
SOD-123FL封装是一种薄型、小尺寸的表面贴装封装,具有良好的热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。该封装还优化了引脚形状和内部连接结构,以降低寄生电感,进一步提升高频性能。此外,FLD3F7CZ具有高达50A的峰值浪涌电流承受能力,可在电源启动或负载突变时提供可靠的保护,防止因瞬时过流导致器件损坏。
器件的工作结温范围达到-55°C至+150°C,表明其在极端环境条件下仍能保持稳定性能,适用于汽车电子、工业控制等严苛应用场景。同时,产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准,增强了其在车载电源管理系统中的适用性。另外,FLD3F7CZ无铅且符合RoHS指令,支持绿色环保制造要求。
FLD3F7CZ广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流二极管,特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中,其低正向压降可显著提升效率。它也常用于反激式电源的续流二极管,帮助抑制电感反电动势,保护主开关器件。
在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理单元中,FLD3F7CZ因其小型化封装和高效率特性而被广泛采用。此外,在电池充电电路中,它可以作为防反接二极管使用,防止电池反向接入造成系统损坏。
该器件还适用于逆变器、LED驱动电源、适配器和USB供电设备中的整流与保护功能。在电机驱动和继电器驱动电路中,FLD3F7CZ可用作续流二极管,吸收线圈断电时产生的反向电压尖峰,保护晶体管或MOSFET等开关元件。
由于其具备一定的浪涌电流耐受能力和高温工作能力,FLD3F7CZ也被用于工业自动化设备、网络通信设备和消费类家电中的电源模块。在太阳能充电控制器、UPS不间断电源等能源管理系统中,同样可以看到其身影,发挥着高效能量传递和系统保护的作用。
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"MBR230",
"RB0230L-40",
"SS24",
"SBM230",
"FDMA204"
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