时间：2025/12/28 10:24:06
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BU508A-M是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的NPN双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），主要用于中高功率放大和开关应用。该器件采用先进的平面硅技术制造，具备优良的电流增益、热稳定性和可靠性，适用于多种工业、消费类及汽车电子系统中的电源管理与信号控制电路。BU508A-M广泛应用于开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动以及照明镇流器等需要中等功率处理能力的场合。该晶体管封装在小型化且具有良好散热性能的SOT-326（也称SC-74A或US6）封装中，适合于空间受限但要求较高性能的PCB设计。其引脚排列兼容标准三极管配置，便于在现有设计中替换或升级。此外，BU508A-M符合RoHS环保规范，并具备良好的抗静电能力和可靠性测试认证，适用于自动化贴片生产线。作为一款通用型中功率晶体管，它在成本效益与性能之间取得了良好平衡，是许多模拟和数字电路中常用的有源器件之一。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：800 V
集电极-基极电压（VCBO）：800 V
发射极-基极电压（VEBO）：9 V
集电极电流（IC）：1.5 A
峰值集电极电流（ICM）：3 A
功耗（Ptot）：500 mW
直流电流增益（hFE）：40 至 300
过渡频率（fT）：150 MHz
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-326 (SC-74A/US6)
