FLD130C2PL 时间：2025/12/28 10:04:56 阅读：10

FLD130C2PL是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体，现属于onsemi）生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率开关应用而设计，广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。FLD130C2PL采用先进的沟槽技术制造，能够在低电压下实现较低的导通电阻和快速的开关响应，从而有效降低系统功耗并提升整体能效。其封装形式为PowerTSSOP-8（也称TSSOP-8 PowerPAD），具有较小的占板面积，适合对空间要求较高的便携式电子设备。此外，该MOSFET具备良好的热性能，底部散热焊盘可有效将热量传导至PCB，提高长期运行的可靠性。器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：14A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：56A
　　导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ @ VGS=10V, 7.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1250pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：440pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(Trr)：18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：PowerTSSOP-8 (TSSOP-8)
　　导通特性：增强型
　　安装方式：表面贴装(SMD)

特性

FLD130C2PL采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种结构通过优化硅片内部的沟道设计，显著降低了导通电阻RDS(on)，在保证大电流承载能力的同时减少了导通损耗。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为4.7mΩ，在VGS=4.5V时为7.5mΩ，这一性能使其非常适合用于电池供电设备中的高效同步整流或负载开关控制。
　　该器件具有优异的开关特性，输入电容Ciss为1250pF，输出电容Coss为440pF，使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和较快的上升/下降时间。同时，较短的反向恢复时间Trr（18ns）意味着体二极管的恢复行为较为理想，有助于减少交叉导通风险，特别适用于半桥或全桥拓扑结构中。
　　热性能方面，PowerTSSOP-8封装内置了底部散热焊盘（PowerPAD），可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出，有效降低结到环境的热阻，从而提升器件在持续高负载下的稳定性和寿命。此封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。
　　FLD130C2PL的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的应用需求。此外，器件栅极氧化层经过优化处理，具备较强的抗静电能力（ESD），HBM模型下可达±2000V，提升了现场使用的鲁棒性。
　　总体而言，FLD130C2PL是一款高性能、小尺寸、高可靠性的功率MOSFET，结合低导通电阻、优良开关特性和紧凑封装，成为众多中低电压功率转换系统的优选器件。

应用

FLD130C2PL广泛应用于多种中低电压功率转换与控制场合。常见于便携式消费类电子产品中的DC-DC降压或升压转换器，作为上下管开关使用，尤其适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理模块中，提供高效的能量转换路径。
　　在同步整流电路中，由于其低RDS(on)和快速开关特性，能够显著降低传导损耗，提升电源效率，因此被大量用于AC-DC适配器、USB PD充电器及多相VRM（电压调节模块）设计中。
　　此外，该器件也适用于电机驱动应用，如小型直流电机、步进电机的H桥驱动电路，凭借其高电流承载能力和快速响应，可实现精确的转速与方向控制，常用于打印机、扫描仪、电动工具等工业与办公设备中。
　　在负载开关和热插拔电路中，FLD130C2PL可用于控制电源通断，防止浪涌电流冲击，保护后级电路，广泛应用于服务器背板、通信模块和嵌入式系统中。
　　由于其表面贴装封装和小型化特点，也适合用于空间受限的高密度PCB布局，例如可穿戴设备、物联网终端和移动电源等新兴领域。其符合RoHS和无卤素要求，满足现代电子产品环保规范。