时间：2025/5/10 10:11:41
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CRSQ113N20N 是一款基于硅材料的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。它能够承受高达 200V 的漏源极电压，并提供出色的电流处理能力。
最大漏源极电压：200V
最大连续漏极电流：11.3A
导通电阻（典型值）：85mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1250pF
开关频率：最高可达 500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CRSQ113N20N 提供了卓越的性能表现，其低导通电阻显著减少了传导损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件还具备快速开关能力，能够在高频应用中减少开关损耗。它的高雪崩能量能力和坚固的设计确保了在严苛环境下的可靠运行。
这款 MOSFET 还具有极低的输入和输出电容，有助于降低开关节点的振铃现象，简化 PCB 布局设计。同时，该器件采用紧凑型封装，适合空间受限的应用场景。
CRSQ113N20N 广泛应用于需要高效功率转换的领域，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、逆变器、LED 驱动器以及电机控制等。由于其出色的热稳定性和电流承载能力，该器件非常适合工业设备、汽车电子和消费类电子产品中的各种功率管理任务。
CRSQ113N20T, IRSF1104PBF, AO3400
