FJL4215-0 是一款由 Fuji Electric(富士电机)制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电流、高电压应用场景设计,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、马达控制、功率放大器等电子设备中。FJL4215-0 具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的耐压能力,能够在高功率负载下保持良好的效率和稳定性。其封装形式通常为 TO-220 或 TO-263(D2PAK),便于散热和安装。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):150V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A(在 Tc=25°C)
脉冲漏极电流(Idm):160A
功耗(Pd):200W
导通电阻(Rds(on)):≤4.2mΩ(在 Vgs=10V 时)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220、TO-263(D2PAK)
FJL4215-0 作为一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备多项优越的电气特性和物理特性,适合高功率和高效率的应用场景。首先,该器件具有非常低的导通电阻(Rds(on)),典型值为 4.2mΩ,这使得在高电流条件下导通损耗大大降低,提高了整体系统的效率。其次,FJL4215-0 的漏源耐压(Vds)为 150V,能够在中高电压环境下稳定工作,适用于如电源适配器、开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电路。
此外,FJL4215-0 的连续漏极电流(Id)高达 40A,脉冲漏极电流甚至可以达到 160A,这使其在需要瞬时高电流的负载条件下(如电机驱动、电感负载切换)表现出色。该器件的功耗(Pd)为 200W,并采用 TO-220 或 TO-263 封装,具备良好的热管理能力,适用于高功率密度的设计。
FJL4215-0 还具备较高的栅极驱动兼容性,其栅源电压范围为 ±20V,适合与多种控制 IC 配合使用。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,适应多种工业环境下的应用需求,具有良好的可靠性和稳定性。
由于其高性能参数和封装优势,FJL4215-0 被广泛应用于汽车电子、工业控制、电源转换、马达驱动以及高功率音频放大器等设备中,是一款性价比高且性能稳定的功率 MOSFET。
FJL4215-0 广泛应用于多个高功率电子系统中,尤其适用于需要高电流、高电压和低导通损耗的场合。在电源管理领域,该器件常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器中,作为主开关元件,实现高效的能量转换。在工业自动化控制系统中,FJL4215-0 可用于马达驱动电路、继电器控制和电源分配系统,其高电流承载能力和耐压性能确保系统在重负载条件下稳定运行。
在汽车电子方面,该器件适用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)、车载逆变器以及电池管理系统(BMS)等应用,满足汽车环境中对高可靠性和宽温度范围的要求。此外,在音频功率放大器设计中,FJL4215-0 的低导通电阻和高开关速度使其成为 Class D 放大器的理想选择,提供清晰的音频输出和较高的能量效率。
由于其出色的电气性能和封装散热能力,FJL4215-0 也常用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统、工业变频器和智能电表等高功率电子产品中,是现代电力电子系统中不可或缺的核心器件之一。
FJP4215, FQA40N150, IXFH40N150