时间：2025/5/26 21:00:17
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9001-13961C00A是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子设备中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高了系统的效率并降低了能量损耗。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，支持高电流和高压操作。其出色的热性能设计允许在高负载条件下稳定工作，并且能够承受短暂的过载情况。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：55nC
输入电容：1280pF
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
9001-13961C00A的主要特性包括：
1. 高击穿电压，确保在高压环境下可靠运行。
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 优化的热阻抗设计，改善散热性能。
5. 增强的雪崩能力和短路耐受能力，提高系统稳定性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
该芯片适用于多种工业和消费类电子领域，具体应用包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）的核心组件。
4. 各种类型的DC-DC转换器。
5. 电磁阀驱动和继电器驱动电路。
6. 高效的功率因数校正（PFC）电路。
IRFP460, STP16NF50, FDP18N65C3
