时间：2025/7/23 21:07:28
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STD60N55F3 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有高电流、低导通电阻和高效率的特点，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：550V
导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：78nC（典型值）
封装类型：TO-220FP
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
最大功率耗散：200W
STD60N55F3 是一款专为高效率功率转换设计的MOSFET，具备以下特性：
首先，其导通电阻较低，RDS(on)典型值为0.21Ω，能够在高电流条件下减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达60A的连续漏极电流，适合需要大电流处理能力的应用。
其次，该MOSFET采用高压工艺制造，漏-源击穿电压为550V，确保在高压环境中稳定运行。它还具备良好的热稳定性，封装设计有助于有效散热，适用于高功率密度系统。
该器件的栅极电荷较低（Qg=78nC），能够加快开关速度，从而降低开关损耗，提高整体能效。同时，其快速恢复二极管特性（内部体二极管）有助于减少反向恢复损耗，适用于高频开关应用。
最后，该MOSFET的封装为TO-220FP，具有良好的散热性能和机械强度，适用于工业级应用。此外，其工作温度范围为-55°C至+150°C，可在恶劣环境下稳定工作。
STD60N55F3 被广泛应用于多种高功率电子设备中，包括：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC升压和降压转换器
? 逆变器和UPS系统
? 电机控制和驱动器
? 工业自动化设备
? 电池充电器和储能系统
? 太阳能逆变器和新能源设备
STD60N55F3AG, STD60N55M5, STD60N55F4
