FIR4N65FG 时间：2025/5/12 10:26:28 阅读：4

FIR4N65FG 是一款 N 沱道垂直功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电路和电源管理领域。该器件采用 TO-247 封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于需要高效率和低损耗的应用场景。
　　该芯片的工作电压高达 650V，能够承受较大的漏源极电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性，广泛用于开关电源、逆变器、电机驱动等电力电子设备中。

参数

最大漏源极电压：650V
　　最大漏极电流：14A
　　导通电阻（典型值）：1.3Ω
　　栅极电荷：25nC
　　总电容（Ciss）：2250pF
　　开关频率：最高可达 500kHz
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 高耐压能力：FIR4N65FG 的漏源极电压高达 650V，使其适用于高压环境下的开关应用。
　　2. 低导通电阻：在额定条件下，其导通电阻仅为 1.3Ω，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关性能：该器件的栅极电荷较小（25nC），确保了快速的开关切换，从而减少开关损耗。
　　4. 热稳定性强：即使在高温环境下，FIR4N65FG 也能保持稳定的电气性能。
　　5. 可靠性高：经过严格的质量测试，该产品具有较长的使用寿命和出色的抗干扰能力。

应用

1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管，用于实现高效的 AC-DC 或 DC-DC 转换。
　　2. 逆变器：用于光伏逆变器或 UPS 中的高频开关电路。
　　3. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型的电动机运行。
　　4. PFC（功率因数校正）电路：提升系统的功率因数并满足相关标准要求。
　　5. 其他电力电子设备：如充电器、焊接设备、照明驱动等。