3SD21 时间：2025/8/28 4:32:33 阅读：30

3SD21是一种N沟道功率MOSFET，常用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用中。它具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点，适合高效率和高可靠性的电子系统设计。该器件采用TO-251封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-251

特性

3SD21的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到200V，使其适用于高压应用。此外，它具有较大的连续漏极电流能力（9A），能够在较高负载条件下稳定工作。
　　该MOSFET的导通电阻较低，最大值为0.45Ω，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。同时，其功率耗散为40W，表明该器件具备良好的散热性能，适用于需要长时间高负载工作的场合。
　　3SD21还具有宽工作温度范围（-55°C至+150°C），适应性强，能够在恶劣环境下稳定运行。其TO-251封装形式不仅便于安装，还具备良好的热管理能力，有助于提高系统的整体可靠性。
　　该器件的栅源电压范围为±20V，提供较高的控制灵活性。由于其N沟道结构，3SD21在导通时具有较低的电压降，进一步提升了系统效率。此外，它在高频开关应用中表现出色，适用于各类高频率功率转换电路。