3SD21是一种N沟道功率MOSFET,常用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用中。它具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点,适合高效率和高可靠性的电子系统设计。该器件采用TO-251封装,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):9A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.45Ω(最大值)
功率耗散(Pd):40W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-251
3SD21的主要特性之一是其高耐压能力,漏源电压可达到200V,使其适用于高压应用。此外,它具有较大的连续漏极电流能力(9A),能够在较高负载条件下稳定工作。
该MOSFET的导通电阻较低,最大值为0.45Ω,有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。同时,其功率耗散为40W,表明该器件具备良好的散热性能,适用于需要长时间高负载工作的场合。
3SD21还具有宽工作温度范围(-55°C至+150°C),适应性强,能够在恶劣环境下稳定运行。其TO-251封装形式不仅便于安装,还具备良好的热管理能力,有助于提高系统的整体可靠性。
该器件的栅源电压范围为±20V,提供较高的控制灵活性。由于其N沟道结构,3SD21在导通时具有较低的电压降,进一步提升了系统效率。此外,它在高频开关应用中表现出色,适用于各类高频率功率转换电路。
3SD21广泛应用于各种电力电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流特性,它也常用于需要高可靠性的汽车电子和工业设备中。
IRF540, FDP21N20, STP9NK60Z, 2SK2647