FIR4N60BPG 时间：2025/5/31 3:10:50 阅读：9

FIR4N60BPG是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于需要高效开关性能的场合，例如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。它具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性，适合于高频应用。

参数

型号：FIR4N60BPG
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-220
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5Ω（在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：117W
　　工作温度范围(Tj)：-55℃至+150℃

特性

FIR4N60BPG具备较高的耐压能力，其漏源电压高达600V，非常适合高压环境下的应用。
　　同时，它的导通电阻相对较低，在Vgs为10V时仅为3.5Ω，有助于降低导通损耗并提高整体效率。
　　此外，该器件具有良好的开关性能，能够适应高频工作条件。
　　FIR4N60BPG还采用了标准的TO-220封装，便于安装和散热设计，适合多种工业应用场景。

应用

FIR4N60BPG广泛应用于各类高压开关电路中，具体包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)的设计，尤其适用于反激式或正激式拓扑结构。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动控制电路中的开关器件。
　　4. 各类工业设备中的负载切换功能。
　　5. 电子镇流器和逆变器等高频应用领域。