FI-X30CH-NPB-7000 是由富士通(Fujitsu)生产的一款非易失性存储器(FRAM - Ferroelectric Random Access Memory)芯片。这种存储器结合了RAM和ROM的优点,具备非易失性、高速读写和低功耗的特点。FI-X30CH-NPB-7000 采用先进的铁电技术,能够在没有电源的情况下保留数据,同时支持高速随机访问。这种存储器非常适合需要频繁写入和快速数据存储的应用场景。
类型:FRAM(铁电存储器)
容量:32K x 8 位
电压范围:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:28 引脚 SOP
访问时间:70ns
最大读取电流:15mA
最大待机电流:10μA
写入耐久性:10^10 次/位
数据保持时间:10 年以上
FI-X30CH-NPB-7000 的核心特性之一是其非易失性,这意味着即使在断电的情况下,存储的数据也不会丢失。与传统的EEPROM和闪存相比,FRAM 不需要预写入擦除操作,可以直接写入数据,从而极大地提高了写入速度。此外,FI-X30CH-NPB-7000 支持高达 10^10 次/位的写入耐久性,显著高于传统存储器的写入寿命。
该芯片的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,具有较宽的电源适应能力,适用于多种嵌入式系统和便携式设备。其高速访问时间为 70ns,能够满足高性能数据存储和快速访问的需求。在低功耗模式下,待机电流仅为 10μA,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
由于 FRAM 技术的固有优势,FI-X30CH-NPB-7000 在数据写入过程中消耗的能量远低于传统 EEPROM 和闪存,这对于需要频繁写入的应用(如数据记录器、智能仪表和工业控制系统)尤为重要。此外,该芯片支持 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围,适用于工业级和车载级应用。
FI-X30CH-NPB-7000 常用于需要高写入耐久性、快速访问和非易失性数据存储的应用场景。典型应用包括工业自动化系统、智能电表、医疗设备、数据记录器、汽车电子控制系统以及需要频繁写入配置数据的嵌入式系统。由于其低功耗特性,该芯片也适用于电池供电设备和物联网(IoT)设备中的数据存储模块。
在工业控制领域,FI-X30CH-NPB-7000 可用于保存设备状态、操作日志和校准数据等关键信息,确保在断电或重启后能够快速恢复运行。在智能仪表中,它可以用于存储实时测量数据和历史记录,避免数据丢失。在医疗设备中,该芯片可用于存储患者数据和设备设置信息,确保数据的安全性和完整性。此外,在汽车电子系统中,FI-X30CH-NPB-7000 可用于存储关键的诊断信息和控制参数。
FM24CL64-G, MB85RC256V, CYFRAM-16Kx8