时间：2025/6/4 2:08:10
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IPN80R600P7 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TRENCHSTOP? 技术，能够提供高效率和低导通损耗的特性。其设计旨在满足工业和汽车应用中对高功率密度和可靠性的要求。
IPN80R600P7 的额定电压为 600V，导通电阻较低，具有出色的开关性能和热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源等应用场合。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：80A
导通电阻：32mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：150nC（典型值）
开关速度：快速
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IPN80R600P7 具备以下显著特性：
1. 采用先进的 TRENCHSTOP? 技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的权衡。
2. 高额定电压（600V），适用于高压应用场景。
3. 极低的导通电阻（典型值为 32mΩ），可有效降低导通损耗。
4. 快速开关能力，有助于提高系统效率。
5. 支持高温操作，最高结温可达 175°C。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
7. 提供卓越的鲁棒性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
IPN80R600P7 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的大功率转换器。
2. 汽车电子系统，如电机控制和车载充电器。
3. 开关模式电源（SMPS）设计。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
5. DC-DC 转换器，包括隔离式和非隔离式设计。
6. 各类高功率密度的负载开关和保护电路。
由于其出色的电气特性和可靠性，IPN80R600P7 成为需要高效功率管理解决方案的理想选择。
IPW90R180P7, IRFP460, STW81N60DM2
