IPN80R600P7 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TRENCHSTOP? 技术,能够提供高效率和低导通损耗的特性。其设计旨在满足工业和汽车应用中对高功率密度和可靠性的要求。
IPN80R600P7 的额定电压为 600V,导通电阻较低,具有出色的开关性能和热稳定性,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源等应用场合。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:80A
导通电阻:32mΩ(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:150nC(典型值)
开关速度:快速
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
IPN80R600P7 具备以下显著特性:
1. 采用先进的 TRENCHSTOP? 技术,优化了导通电阻与栅极电荷之间的权衡。
2. 高额定电压(600V),适用于高压应用场景。
3. 极低的导通电阻(典型值为 32mΩ),可有效降低导通损耗。
4. 快速开关能力,有助于提高系统效率。
5. 支持高温操作,最高结温可达 175°C。
6. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
7. 提供卓越的鲁棒性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
IPN80R600P7 广泛应用于以下领域:
1. 工业设备中的大功率转换器。
2. 汽车电子系统,如电机控制和车载充电器。
3. 开关模式电源(SMPS)设计。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
5. DC-DC 转换器,包括隔离式和非隔离式设计。
6. 各类高功率密度的负载开关和保护电路。
由于其出色的电气特性和可靠性,IPN80R600P7 成为需要高效功率管理解决方案的理想选择。
IPW90R180P7, IRFP460, STW81N60DM2